江川 孝志 | 名古屋工業大学
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概要
関連著者
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江川 孝志
名古屋工業大学
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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神保 孝志
名古屋工業大学
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神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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梅野 正義
名古屋工業大学
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江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
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Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
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江川 孝志
名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
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見田 充郎
沖電気工業
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佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
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大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 光浩
日本ガイシ株式会社研究開発本部
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神保 孝志
三重大学電気電子工学科
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Egawa T
Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University
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田中 光浩
日本ガイシ
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海部 勝晶
沖電気工業研究開発本部
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見田 充郎
沖電気工業株式会社 研究開発本部
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坂井 正宏
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター : 日本ガイシ株式会社
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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小田 修
日本ガイシ株式会社
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三好 実人
日本ガイシ株式会社研究開発本部
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伊藤 正紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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坂井 正宏
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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山田 朋幸
沖電気工業(株)研究開発本部
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関 昇平
沖電気工業
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック株式会社
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三好 実人
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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アルルクマラン サブラマニアム
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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上本 康裕
パナソニック株式会社
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鈴江 隆晃
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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星 真一
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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丸井 俊治
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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村田 智洋
松下電器産業(株)
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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出口 忠義
新日本無線株式会社研究所
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池田 義人
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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出口 忠義
新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター
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脇 英司
新日本無線株式会社
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柴田 智彦
日本ガイシ
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柴田 智彦
日本ガイシ株式会社
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中川 敦
新日本無線株式会社研究所
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中川 敦
新日本無線株式会社
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尾関 龍夫
三菱電機
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中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
松下電器産業(株)半導体社
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尾関 龍夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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中川 敦
新日本無線
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石田 秀俊
パナソニック株式会社
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三浦 成久
三菱電機先端技術総合研究所
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大石 敏之
三菱電機株式会社
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大石 敏之
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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三浦 成久
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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吹田 宗義
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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南條 拓真
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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阿部 雄次
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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大石 敏之
三菱電機(株)
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阿部 雄次
三菱電機先端総研
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中川 敦
新日本無線株式会社 研究所
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南條 拓真
三菱電機
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中路 雅晴
名古屋工業大学電気情報工学科
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セルバラージ ローレンス
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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勝川 裕幸
日本ガイシ株式会社
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引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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引田 正洋
パナソニック株式会社
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小野 悟
新日本無線株式会社
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ARULKUMARAN Subramaniam
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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槙田 毅彦
沖電気工業(株)研究開発本部 半導体技術研究所
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中田 尚幸
名古屋工業大学電気情報工学科
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松井 慎一
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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寺田 豊
名古屋工業大学
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中村 光一
名古屋工業大学
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深見 武志
名古屋工業大学
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石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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鎌田 厚
新日本無線
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神田 敦彦
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松野 年伸
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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三戸 一矢
名古屋工業大学
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鷺森 友彦
沖電気工業株式会社研究開発本部
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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山森 雅之
名古屋工業大学
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日比野 聡彦
名古屋工業大学大学院
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梅野 正義
中部大学工学部
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石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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張 佰君
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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市村 幹也
日本ガイシ株式会社研究開発本部
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森野 芳昭
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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玉井 功
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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塩島 謙次
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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中澤 一志
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上野 弘明
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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分島 彰男
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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加藤 正博
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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伏見 浩
新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター
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市村 幹也
日本ガイシ(株)
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塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
小杉 敏彦
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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杉谷 末広
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
重川 直輝
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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村田 宜彦
名古屋工業大学電気情報工学科
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上野 弘明
松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
-
杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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永井 一弘
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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伏見 浩
新日本無線(株)
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伏見 浩
新日本無線株式会社
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渡邉 新
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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岩崎 天彦
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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片山 義章
名古屋工業大学機能工学専攻
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鈴木 暢倫
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
野村 幸靖
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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山本 幸太郎
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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浅野 健太
名古屋工業大学 極微構造デバイス研究センター
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坂井 正宏
日本ガイシ株式会社
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西川 直宏
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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梅野 正義
中部大学工学部電子工学科
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市川 智士
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石井 基範
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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藤田 和久
(株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室
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瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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曽我 哲夫
名古屋工業大学工学研究科未来材料創成工学専攻
-
広瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
石井 基範
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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浅井 圭一郎
日本ガイシ(株)
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正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
正戸 宏幸
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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安達 龍彦
新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター
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山下 明一
新日本無線株式会社研究所
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瀧澤 俊幸
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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今西 敦
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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平松 和政
三重大 工
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三宅 秀人
三重大学 工学部
-
平松 和政
三重大学 工学部
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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立花 明知
京大工
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山田 学
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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徳永 裕樹
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
-
山口 晃
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
-
生方 映徳
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
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松本 功
大陽日酸イー・エム・シー株式会社
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Ashraf M.
名古屋工業大学工学部電気情報工学科
-
生方 映徳
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
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徳永 裕樹
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
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阿久津 仲男
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
-
松本 功
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
-
山口 晃
日本酸素株式会社化合物プロジェクト部
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渡邉 純二
熊本大工
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深澤 義道
新日本無線株式会社研究所
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黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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足立 雅和
名古屋工業大学
-
梅野 正義
中部大学
-
渡邉 純二
熊本大学工学部
-
黒田 正行
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
大野 彰仁
名古屋工業大学
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内田 秀雄
名古屋工業大学電気情報工学科
-
高橋 光男
Atr環境適応通信研
-
松本 功
日本酸素
-
藤田 和久
ATR光電波通信研究所
-
渡辺 敏英
ATR光電波通信研究所
-
立花 明知
京都大学大学院工学研究科機械物理工学専攻
-
槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
Pablo Vaccaro
ATR光電波通信研究所
-
山田 泰之
名古屋工業大学電気情報工学科
-
Vaccaro Pablo
(株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室
-
佐々木 望
名古屋工業大学工学部電気情報工学科
-
立花 明知
京都大学
-
阿久津 仲男
大陽日酸株式会社化合物事業部
-
徳永 裕樹
日本酸素(株)つくば研究所電材開発部
-
阿久津 仲男
日本酸素(株)産ガス電子機材事業部
-
山口 晃
日本酸素(株)産ガス電子機材事業部
-
Arulkumaransu Subramanian
名古屋工業大学
-
江崎 陽介
熊本大学大学院
-
紫垣 安代
熊本大学大学院
-
吉田 有希
名古屋工業大学
-
三宅 秀人
三重大学電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学電気電子工学科
著作論文
- 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上GaN系発光ダイオードの結晶成長及び諸特性
- 低温成長GaNキャップ層エッジターミネーションを用いたシリコン基板上の高耐圧AlGaN/GaNショットキーバリアダイオード
- 低温成長GaNキャップ層エッジターミネーションを用いたシリコン基板上の高耐圧AlGaN/GaNショットキーバリアダイオード(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Non-linear control for underactuated airship systems
- 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-4-34 Si基板上InGaN MQW LEDの作製
- パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- C-10-21 AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(C-10.電子デバイス)
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HFET を用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-12 AlGaN/GaNヘテロ構造に対する窒素プラズマ処理の効果(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 低温成長GaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFET
- CS-9-4 リセスゲート構造を有するLT-GaN/AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
- 100mm 径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT エピタキシャルウェーハ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 100mm径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウェーハ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 結晶軸に沿ったZnイオン注入によるGaNの高抵抗化
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SC-6-5 リセスゲート構造AlGaN/GaN HEMT
- Si基板上GaN-HEMTによる5GHz50W出力電力特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-13 熱抵抗を最適化したSi基板上GaN-HEMTのRF特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-19 InAlGaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFETによるオーミックコンタクト抵抗の低減(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-3 ECRスパッタを用いた絶縁ゲートAlGaN/GaN HFETのDC特性評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の多層膜構造検討による厚膜化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-10-6 熱伝導率の温度依存を考慮したSi基板上GaN-HEMTの特性評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性
- CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果
- MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討
- CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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- 4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 中間層を用いたAlGaN/GaN HEMTエピウエハの反り低減とその特性評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- MOCVD法を用いたサファイア基板上のGaN MESFETの諸特性
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- MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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- MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
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- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
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- PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法
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- Si基板上GaNの暗点密度観察
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- AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- [招待講演] InGaN LEDs on Si grown by MOCVD(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
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