AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
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概要
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AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)の高周波特性の向上にはソース抵抗の低減が重要である。本報告では抵抗低減のために開発した2つの技術: コンタクト抵抗低減のためのSiドーピング技術及び、多重2次元電子ガス層の高い移動度と高い電子濃度を利用した超格子構造キャップ技術について述べる。これらの技術により高周波スィッチおよび低雑音アンプの高性能化を実現した。また、AlGaN/GaN HFETは高周波用途だけでなくパワーデバイス用途にも優れた材料特性を有す。我々は実用化に重要な低コスト化を目指し、安価で大口径化可能なSi基板上にソースビア接地構造を用いることで低Ronと高速スィッチング特性を有するAlGaN/GaNパワーHFETを開発したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-22
著者
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
松下電器産業(株)
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
広瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
引田 正洋
パナソニック株式会社
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社
-
上田 大助
パナソニック株式会社
-
上本 康裕
パナソニック株式会社
-
廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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