Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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Si基板上AlGaN/GaN HEMTについて厚膜サンプルの特性評価を行った。耐圧測定を行ったところ、成長層膜厚の増加に伴い耐圧は向上することが分かり、総膜厚5.5μmにおいて1089Vと良好な耐圧を得られた。また、GaN層と多層膜のどちらの膜厚を厚くしても、耐圧が向上することを確認できた。一方、厚膜サンプルでも表面に1μm程度の大きさのピットが存在する場合、耐圧は改善されず、このピット密度の増加に伴い、耐圧や電子移動度は低下することがわかった。このピットの発生原因を調べるためにピット断面観察を行ったところ、Si基板がエッチングされており、そこからピットが発生していることを確認した。これはリアクタ内の残留GaがSi基板をエッチングしていることが原因と考えられる。よって、厚膜化による耐圧向上では、このピットをなくすことが重要である。
- 2009-11-12
著者
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
鈴江 隆晃
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
セルバラージ ローレンス
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
江川 孝志
名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
-
Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
-
セルバラージ ローレンス
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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