C-10-3 ECRスパッタを用いた絶縁ゲートAlGaN/GaN HFETのDC特性評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)

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概要

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• 2009-09-01

著者

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 脇 英司

  新日本無線株式会社

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 伏見 浩

  新日本無線(株)

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社

• 江川 孝志

  Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology

• Egawa Takashi

  Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.

• 脇 英司

  新日本無線株式会社技術開発本部

• 伏見 浩

  新日本無線株式会社 技術開発本部

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