脇 英司 | 新日本無線株式会社
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概要
関連著者
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脇 英司
新日本無線株式会社
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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出口 忠義
新日本無線株式会社研究所
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中川 敦
新日本無線株式会社研究所
-
中川 敦
新日本無線株式会社
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出口 忠義
新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター
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小野 悟
新日本無線株式会社
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中川 敦
新日本無線
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中川 敦
新日本無線株式会社 研究所
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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伏見 浩
新日本無線(株)
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深澤 義道
新日本無線株式会社
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伏見 浩
新日本無線株式会社 技術開発本部
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伏見 浩
新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
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Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
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深澤 義道
新日本無線株式会社技術開発本部
-
脇 英司
新日本無線株式会社技術開発本部
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鎌田 厚
新日本無線
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山下 明一
新日本無線株式会社研究所
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伏見 浩
新日本無線株式会社
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寺田 豊
名古屋工業大学
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深澤 義道
新日本無線株式会社研究所
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江川 孝志
名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
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Egawa T
Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University
-
Egawa Takashi
Department Of Neuropharmacology Faculty Of Pharmaceutical Sciences Fukuoka University
-
伏見 浩
新日本無線株式会社技術開発本部
著作論文
- 低温成長GaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFET
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- C-10-3 ECRスパッタを用いた絶縁ゲートAlGaN/GaN HFETのDC特性評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ECRスパッタSiNの膜質がSiN/AlGaN/GaN MIS-HFET特性に与える影響
- C-10-8 ECRスパッタ積層SiN/AlGaN/GaN HFETにおける蓄積電荷の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- AlGaN/GaN HFETのMIMゲート構造による界面電荷の制御(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- AlGaN/GaN HFET のMIMゲート構造による界面電荷の制御