寺田 豊 | 名古屋工業大学

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概要

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• 同名の論文著者
• 名古屋工業大学の論文著者

関連著者

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 寺田 豊

  名古屋工業大学

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 鈴江 隆晃

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 出口 忠義

  新日本無線株式会社研究所

• 中川 敦

  新日本無線株式会社研究所

• 中川 敦

  新日本無線株式会社

• 出口 忠義

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 中川 敦

  新日本無線

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 中川 敦

  新日本無線株式会社 研究所

• 江川 孝志

  Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology

• Egawa Takashi

  Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.

• 安達 龍彦

  新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター

• 脇 英司

  新日本無線株式会社

• 小野 悟

  新日本無線株式会社

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著作論文

• 低温成長GaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFET
• CS-9-4 リセスゲート構造を有するLT-GaN/AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
• 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)

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