4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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Si基板上のAlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化についてGaN/AlN多層膜を検討した。ウエハーの反りの測定をしたところ、総膜厚の増加とともに反りは増加した。しかし、GaNの膜厚が薄い場合は、反りは増加しなかった。また、Hall効果測定の移動度の温度特性評価をしたところ、層数の増加とともに移動度が向上した。これは、多層膜とGaN層の界面における転位の減少によるものだと考えられる。多層膜100ペアの場合はクラックがウエハー全面に発生してしまうため、70ペア程度が適当であると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-10-04
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
鈴江 隆晃
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
寺田 豊
名古屋工業大学
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
江川 孝志
名古屋工業大学
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