石川 博康 | 名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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概要
関連著者
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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江川 孝志
名古屋工業大学
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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神保 孝志
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
梅野 正義
名古屋工業大学
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神保 孝志
三重大学電気電子工学科
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Jimbo T
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
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見田 充郎
沖電気工業
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佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
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坂井 正宏
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター : 日本ガイシ株式会社
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海部 勝晶
沖電気工業研究開発本部
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佐野 芳明
沖電気工業
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海部 勝晶
沖電気工業株式会社研究開発本部
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海部 勝晶
沖電気工業株式会社
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田中 光浩
日本ガイシ株式会社研究開発本部
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小田 修
日本ガイシ株式会社
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田中 光浩
日本ガイシ
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小田 修
日本ガイシ(株)
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坂井 正宏
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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見田 充郎
沖電気工業株式会社 研究開発本部
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山田 朋幸
沖電気工業(株)研究開発本部
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三好 実人
日本ガイシ株式会社研究開発本部
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三好 実人
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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アルルクマラン サブラマニアム
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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Arullkumaran Subramaniam
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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大来 英之
沖電気工業
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柴田 智彦
日本ガイシ
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柴田 智彦
日本ガイシ株式会社
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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尾関 龍夫
三菱電機
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井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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尾関 龍夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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三浦 成久
三菱電機先端技術総合研究所
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大石 敏之
三菱電機株式会社
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大石 敏之
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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三浦 成久
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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吹田 宗義
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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南條 拓真
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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阿部 雄次
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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大石 敏之
三菱電機(株)
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阿部 雄次
三菱電機先端総研
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南條 拓真
三菱電機
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中路 雅晴
名古屋工業大学電気情報工学科
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井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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吹田 宗義
三菱電機
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槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発本部:超低損失電力素子技術開発研究体
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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勝川 裕幸
日本ガイシ株式会社
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ARULKUMARAN Subramaniam
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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槙田 毅彦
沖電気工業(株)研究開発本部 半導体技術研究所
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中田 尚幸
名古屋工業大学電気情報工学科
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松井 慎一
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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槙田 毅彦
沖電気工業
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勝川 裕幸
日本ガイシ
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出口 忠義
新日本無線株式会社研究所
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中川 敦
新日本無線株式会社研究所
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中川 敦
新日本無線株式会社
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中村 光一
名古屋工業大学
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出口 忠義
新日本無線株式会社研究所アドバンスト・テクノロジーセンター
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脇 英司
新日本無線株式会社
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小野 悟
新日本無線株式会社
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中川 敦
新日本無線
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中川 敦
新日本無線株式会社 研究所
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伊藤 正紀
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
松下電器産業(株)半導体社
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廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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池田 義人
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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三戸 一矢
名古屋工業大学
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廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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鷺森 友彦
沖電気工業株式会社研究開発本部
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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山森 雅之
名古屋工業大学
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日比野 聡彦
名古屋工業大学大学院
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石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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Zhao Guang-yuan
Research Center For Micro-structure Devices Nagoya Institute Of Technology
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伊藤 正紀
沖電気工業
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趙 廣元
名古屋工業大学・ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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油利 正昭
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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池田 義人
松下電器産業
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小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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張 佰君
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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鈴江 隆晃
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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塩島 謙次
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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寺田 豊
名古屋工業大学
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加藤 正博
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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森 直人
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻
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塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
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牧村 隆司
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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小杉 敏彦
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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杉谷 末広
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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重川 直輝
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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杉谷 末広
Ntt フォトニクス研
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杉谷 末広
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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岩崎 天彦
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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片山 義章
名古屋工業大学機能工学専攻
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山本 幸太郎
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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浅野 健太
名古屋工業大学 極微構造デバイス研究センター
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坂井 正宏
日本ガイシ株式会社
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広森 公一
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十倉 史行
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻
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嶋中 啓太
名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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森本 智彦
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻
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ハオ マオシェン
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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Hao Maosheng
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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杉谷 末広
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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青山 隆史
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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杉谷 末広
Ntt システム・エレクトロニクス研
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浅野 健太
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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重川 直輝
Ntt フォトニクス研
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青山 隆史
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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西川 直宏
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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戸田 典彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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関 昇平
沖電気工業株式会社研究開発センタ
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市川 智士
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石井 基範
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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鎌田 厚
新日本無線
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村田 智洋
松下電器産業(株)
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石井 基範
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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浅井 圭一郎
日本ガイシ(株)
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正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
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正戸 宏幸
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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山下 明一
新日本無線株式会社研究所
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今西 敦
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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関 昇平
沖電気工業
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平松 和政
三重大 工
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三宅 秀人
三重大学 工学部
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平松 和政
三重大学 工学部
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梅野 正義
中部大学工学部
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西川 直宏
名古屋工業大学
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戸田 典彦
沖電気工業
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増井 寛二
名古屋工業大学工学部電気情報工学専攻
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浅井 圭一郎
日本ガイシ株式会社
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石井 基範
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究所センター
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今西 敦
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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正戸 宏幸
松下電器
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大村 浩嘉
名古屋工業大学工学部電気情報工学専攻
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増井 寛二
名古屋工業大学
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平松 和政
三重大学 大学院工学研究科
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三宅 秀人
三重大学 大学院工学研究科
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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梅野 正義
中部大学工学部電子工学科
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渡邉 純二
熊本大工
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足立 雅和
名古屋工業大学
-
渡邉 純二
熊本大学工学部
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大野 彰仁
名古屋工業大学
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長友 隆男
芝浦工業大学工学部
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槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発本部
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Arulkumaransu Subramanian
名古屋工業大学
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江崎 陽介
熊本大学大学院
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紫垣 安代
熊本大学大学院
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大本 修
芝浦工業大学工学部電子工学科
-
三宅 秀人
三重大学電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学電気電子工学科
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パティワエル エミル.I
芝浦工業大学
-
石川 博康
芝浦工業大学
-
長友 隆男
芝浦工業大学 工学部:芝浦工業大学 先端工学研究機構
-
長友 隆男
芝浦工業大学
-
大本 修
芝浦工業大学
-
槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
神保 孝志
都市循環システム工学専攻
-
石黒 靖浩
名古屋工業大学
著作論文
- Si基板上GaN系発光ダイオードの結晶成長及び諸特性
- C-4-34 Si基板上InGaN MQW LEDの作製
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
- 100mm 径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT エピタキシャルウェーハ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 100mm径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウェーハ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 結晶軸に沿ったZnイオン注入によるGaNの高抵抗化
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SC-6-5 リセスゲート構造AlGaN/GaN HEMT
- 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-19 InAlGaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFETによるオーミックコンタクト抵抗の低減(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果
- MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討
- CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 中間層を用いたAlGaN/GaN HEMTエピウエハの反り低減とその特性評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 中間層を用いたAlGaN/GaN HEMTエピウエハの反り低減とその特性評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 中間層を用いたAlGaN/GaN HEMTエピウエハの反り低減とその特性評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- サファイア基板上AlGaN/GaNの歪みと電気的特性
- MOCVD法を用いたサファイア基板上のGaN MESFETの諸特性
- サファイア基板上AlGaN/GaNの歪みと電気的特性
- MOCVD法を用いたサファイア基板上のGaN MESFETの諸特性
- 高温動作センサ用GaN系半導体の結晶成長
- C-10-6 サファイア基板上AI_xGa_Nのショットキー特性
- 鏡面化ダイシング技術によるGaN半導体レーザ共振器端面の形成
- SC-6-3 MOCVD法を用いたエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価
- MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法
- RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法
- RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法
- C-4-25 GaN/AlGaN distributed Bragg reflectorを用いたInGaN MQW LEDの高性能化
- Si基板上GaNの暗点密度観察
- Si基板上GaNの暗点密度観察
- Si基板上GaNの暗点密度観察
- Si基板上減圧MOCVD成長Al_xGa_Nの諸特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上減圧MOCVD成長Al_xGa_Nの諸特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上減圧MOCVD成長Al_xGa_Nの諸特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 可視光照射によるポーラスSiの作製とその評価
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化
- 高相互コンダクタンスを有するSic基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT
- AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
- AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
- AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
- 4H-SiC基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の特性と電子デバイス応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 4H-SiC基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の特性と電子デバイス応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- エピタキシャルAlN/Sapphireテンプレート上に成長したInGaN系LEDの評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- エピタキシャルAlN/Sapphireテンプレート上に成長したlnGaN系LEDの評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN HEMTの諸特性
- リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN MODFETの諸特性
- リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN MODFETの諸特性
- 常圧MOCVD法によるGaN/AlGaN多層膜反射鏡の作製
- InGaN LEDs on Si grown by MOCVD(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演] InGaN LEDs on Si grown by MOCVD(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- GaN系面発光レーザ用GaN/Al_Ga_N多層膜反射鏡の作製 (窒化物・青色光半導体)
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