平松 和政 | 三重大 工

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概要

• 同名の論文著者
• 三重大 工の論文著者

関連著者

• 平松 和政

  三重大 工

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 劉 玉懐

  三重大学工学部電気電子工学科

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• 元垣内 敦司

  Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University

• 桑野 範之

  九州大学産学連携センター

• 石賀 章

  三重大学工学部電気電子工学科

• 福井 一俊

  福井大学遠赤外領域開発センター

• 福井 一俊

  福井大fir

• 元垣内 敦司

  三重大学工学部電気電子工学科

• 澤木 宣彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス株式会社

• 只友 一行

  三菱電線工業

• 濱村 寛

  株式会社ニコン精機カンパニー

• 濱村 寛

  (株)ニコン精機カンパニー

• 澤木 宣彦

  名古屋大学

• 直井 弘之

  三重大学SVBL

• 沢木 宣彦

  名古屋大学工学部電子工学科

• 大西 孝

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 大内 洋一郎

  三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所

• 川口 靖利

  名大・工

• 渡辺 博信

  三重大学工学部

• 木田 喜啓

  三重大学工学部

• 平山 秀樹

  理研

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所

• 平松 和政

  名古屋大学工学部電子工学科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 藤田 浩平

  三重大学大学院工学研究科

• 奥浦 一輝

  三重大学大学院工学研究科

• 乗松 潤

  理研

• 生川 満久

  三重大学工学部電気電子工学科

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス(株)

• 川口 靖利

  名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 高岡 秀嗣

  浜松ホトニクス(株)電子管第2事業部

• 高岡 秀嗣

  浜松ホトニクス株式会社

• 福世 文嗣

  浜松ホトニクス(株)

• 寺田 雄祐

  三重大学工学部電気電子工学科

• 吉田 治正

  三重大学工学部電気電子工学科

• 武富 浩幸

  三重大学工学部

• 岡田 知幸

  浜松ホトニクス株式会社

• 原口 雅也

  九州大学総合理工学府

• 平山 秀樹

  理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チーム

• 平松 和政

  三重大学

• 桑野 範之

  九州大学

• 柴田 泰宏

  三重大学工学部

• 桑野 範之

  九州大学大学院総理工学研究科

• 平松 和政

  三重大学 工学部

• 安川 浩範

  三重大学工学部

• 太田 慶一

  三重大学工学部

• 中村 淳

  中部キレスト(株)

• 家近 泰

  住友化学工業(株)つくば研究所

• 前田 尚良

  住友化学工業(株)つくば研究所

• 矢口 紀恵

  (株)日立サイエンスシステムズ

• 阿部 晃久

  三重大学工学部電気電子工学科

• 山路 浩規

  三重大学工学部電気電子工学科

• 家近 泰

  住友化学工業株式会社 筑波研究所

• 南部 信義

  中部キレスト長岡技科大

• 三宅 秀人

  三重大学 工学部

• 清水 ヨ也

  名古屋大学 工学部 電子工学科

• 小出 晋也

  三重大学工学部電気電子工学科

• 中村 和哉

  三重大学工学部電気電子工学科

• 前田 尚良

  住友化学工業株式会社 筑波研究所

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学工芸学部

• 長尾 哲

  三菱化学科学技術研究センター

• 小川原 悠哉

  三重大学工学部電気電子工学科

• 沖 憲典

  九州大学大学院総合理工学研究科院

• 赤崎 勇

  名大・工

• 光原 昌寿

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 塩谷 英一

  (株)ニコン精機カンパニー

• 菅原 克也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 矢口 紀恵

  日立サイエンスシステムズ

• 沢木 宣彦

  名大・工学部

• 平松 和政

  三重大・工

• 矢口 紀恵

  日立ハイテクノロジーズ 那珂事業所

• 小田 修

  日本ガイシ株式会社

• 平松 和政

  名大・工

• 小野 善伸

  住友化学

• 小野 善伸

  住友化学工業(株)筑波研究所

• 久保 俊晴

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 島原 佑樹

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 武富 浩幸

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 馬 ベイ

  三重大学工学部電気電子工学科

• 宮川 鈴衣奈

  三重大学工学部電気電子工学科

• 胡 衛国

  三重大学工学部電気電子工学科

• 新坂 俊輔

  (株)ニコン精機カンパニー

• 江龍 修

  名古屋工業大学

• 松嶋 秀忠

  名古屋大学 工学部 電子工学科

• 花井 寿佳

  名古屋大学 工学部 電子工学科

• 清水 誠也

  名古屋大学工学部電子工学科

• 菅原 克也

  北海道大学

• 勝野 琢弥

  三重大学工学部電気電子工学科

• 黎 大兵

  三重大学SVBL

• 増田 規宏

  三重大学工学部電気電子工学科

• 劉 玉懐

  三重大学SVBL

• 柴田 智彦

  三重大学工学部電気電子工学科

• 渡邉 博信

  三重大学工学部

• 江崎 哲也

  九州大学総合理工学府

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 三宅 秀人

  三重大工

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 澤木 宣彦

  名大・工・電子工学

• 日比野 倫夫

  名大理工総研

• 田中 成泰

  名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 平松 和政

  三重大工

• 日比野 倫夫

  名古屋大学理工科学総合研究センター

• 小出 康夫

  名古屋大学工学部電子工学科

• 小出 康夫

  独立行政法人物質・材料研究機構物質研究所

• 矢橋 勝典

  名古屋大学工学部電子工学科

• 伊藤 茂稔

  名古屋大学工学部電子工学科

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 坊山 晋也

  三重大学 工学部

• 吉川 兼司

  三重大学 工学部

• 竹内 亮

  三重大学 工学部

• Riemann T

  institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Bertram F

  institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Christen J

  institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• 坂井 正宏

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター : 日本ガイシ株式会社

• 山田 和弘

  名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻

• Riemann T

  Otto‐von‐guericke‐univ. Magdeburg Deu

• 柴田 巧

  名古屋大学工学部電子工学科

• 神保 孝志

  名古屋工業大学

• 石賀 章

  三重大・工

• Bertram F

  Otto-von-guericke‐univ. Magdeburg Magdeburg Deu

• Bertram F

  Institute Of Experimental Physics Otto-von-guericke-university Magdeburg

• Christen J

  Otto-von‐guericke Univ. Magdeburg Deu

• Christen J

  Institute Of Experimental Physics Otto-von-guericke-university Magdeburg

• 坂井 正宏

  日本ガイシ株式会社

• 山田 和弘

  名古屋大学理学部数学科

• 若木 守明

  東海大学工学部

• 天野 浩

  名大工

• 赤崎 勇

  名大工

• 勝川 裕幸

  日本ガイシ株式会社

• 直江 俊一

  金沢大工

• 桑野 範之

  九州大学先端科学技術共同研究センター

• 桑野 範之

  九大・先端センター

• 沖 憲典

  九大・総理大

• 赤崎 勇

  名古屋大学工学部

• 佐藤 英樹

  三重大学大学院工学研究科

• 伊藤 健治

  名古屋大学工学部

• 平山 秀樹

  BEANSプロジェクト

• 浅井 圭一郎

  日本ガイシ(株)

• 田中 成泰

  名大・工

• 山田 和弘

  名大・工

• 日比野 倫夫

  名古屋大学理工学総合研究センター

• 堀渕 嘉代

  九大・総理工

• 塚本 恵介

  九大・総理工

• 小出 典克

  名古屋大学工学研究科

• 堀渕 嘉代

  九州大学大学院

• 天野 浩

  名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻

• 白石 忠義

  九州大学大学院総理工学研究科

• 伊藤 茂稔

  名大・工

• 天野 浩

  名大・工

• 三宅 秀人

  三重大

• 坊山 晋也

  三重大学工学部

• 吉川 兼司

  三重大学工学部

• 竹内 亮

  三重大学工学部

• Riemann T.

  Institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Bertram F.

  Institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Christen J.

  Institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• 元垣内 敦司

  三重大・工

• 三宅 秀人

  三重大・工

• 福井 一俊

  福井大 工

• 小出 康夫

  名大・工

• 滝 海

  九州大学大学院総合理工学研究科量子プロセス理工学専攻

• 清水 ヨ也

  名古屋大学工学部

• 平松 和政

  名大工

• 小出 典克

  名大工

• 沢木 宣彦

  名大工

• 田中 成康

  名大・工

• 土生 喜雄

  名大・工

• 伊藤 健治

  名大・工

• Liu Y.

  SVBL

• 柴田 智彦

  三重大・工

• Riemann T

  Institute Of Experimental Physics Otto-von-guericke-university Magdeburg

• 安川 浩範

  三重大

• 木田 喜啓

  三重大

• 岡田 国也

  福井大工

• 浜浦 聡志

  福井大工

• 木村 浩司

  福井大工

• 柴田 智彦

  三重大工

• 若木 守明

  東海大学工学

• 元垣内 敦司

  三重大学

• 角谷 茂明

  日本ガイシ

• 毛利 充宏

  日本ガイシ

• 三宅 秀人

  三重大学電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学電気電子工学科

• 渡邊 博信

  三重大学工学部

• 小出 典克

  名古屋大学工学部電子工学科

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著作論文

• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaN中間層を用いて作製したSi上選択成長GaNのTEM観察 : エピタキシャル成長II
• AlGaN中間層を用いてSi上に選択成長したGaNピラミッドのTEM観察
• 横方向エピ成長(ELO)させたGaN薄膜の微細組織
• 有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察 : 組成不均一の発生(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
• ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性
• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• サファイア基板上のGaNのヘテロエピタキシー機構(ヘテロエピタキシー機構)
• TEMによるGaN薄膜の評価 : 薄膜
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
• 加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• 窒化物半導体結晶のエピ成長と欠陥発生
• MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
• HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
• MOVPE法によるサブミクロンパターンへのGaN選択成長
• HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNバルク単結晶の作製及び評価
• MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
• MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
• MOVPE 法によるInGaN の結晶成長 : エピタキシー I
• MOVPE法によるInGaNの結晶成長及び評価
• 高温下におけるGaN薄膜の熱分解過程
• AlNバッファ層を用いたGaN/α-Al_2O_3のMOVPE : 成長初期過程及びバッファ層の効果 : エピタキシーI
• M0VPEによるAlGaN/α-A1_2O_3ヘテロエピタキシーにおけるA1Nバッファ層の効果
• InGaAsP四元混晶の非混和領域におけるLPE成長過程
• Si基板上のMOVPE成長Al_xGa_N結晶のモルフォロジー
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 26aB02 凹凸AlNエピタキシャル基板を用いた高Alモル分率AlGaNの転位密度低減(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
• 透明ショットキー電極を用いたGaN紫外線フォトダイオードの受光特性と電気的特性
• 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
• 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
• 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
• 28pXQ-10 AlGaNおよびInAlGaN系における紫外発光(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
• 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価
• Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性
• 高Al組成AlGaNを用いた真空紫外線受光素子の作製とその特性評価(AlN結晶成長シンポジウム)
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成
• MOVPE法により成長した高品質AlNエピタキシャル膜(AlN結晶成長シンポジウム)
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• HVPE法によるAlN厚膜の作製
• HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価
• ファセット制御技術による高品質窒化物半導体の作製
• 有効媒質近似を用いたGaNナノ針状構造の光学モデルの構築
• GaNナノ針状結晶の形成と電界放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• GaNナノ針状結晶の形成と電界放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (シリコン材料・デバイス)
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (電子部品・材料)
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (電子デバイス)
• 編集委員会と学会誌の30年間の変遷(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
• a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (シリコン材料・デバイス)
• a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (電子部品・材料)
• a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (電子デバイス)
• MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)
• エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• エピタキシャルAIN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• a面Sapphire上周期溝加工c面AINを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AIN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 新学会誌を発行するにあたって
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 地元の伝統工芸品の新しい照明への活用 : 伊勢形紙をシェードとして用いたLED感性系照明の開発(技術の継承とともに時代にあった新技術の創出を:東海支部)
• 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 減圧CVD法によるグラフェン成長制御(有機材料,一般)

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