元垣内 敦司 | Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
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概要
関連著者
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元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
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元垣内 敦司
三重大学工学部電気電子工学科
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平松 和政
三重大 工
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只友 一行
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
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福井 一俊
福井大学遠赤外領域開発センター
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福井 一俊
福井大fir
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只友 一行
三菱電線工業
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濱村 寛
株式会社ニコン精機カンパニー
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濱村 寛
(株)ニコン精機カンパニー
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平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
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平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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大内 洋一郎
三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所
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勝野 廣宣
静岡大学電子工学研究所技術部
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渡辺 博信
三重大学工学部
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田中 昭
静岡大学電子工学研究所
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木村 雅和
静岡大学電子工学研究所
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助川 徳三
静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
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元垣内 敦司
静岡大学電子工学研究所
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助川 徳三
静岡大学電子工学研究所
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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太田 慶一
三重大学工学部
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勝野 広宣
静岡大学電子工学研究所
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鵜殿 治彦
静岡大学電子工学研究所
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柴田 泰宏
三重大学工学部
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石賀 章
三重大学工学部電気電子工学科
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安川 浩範
三重大学工学部
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木田 喜啓
三重大学工学部
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助川 徳三
静岡大学
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平松 和政
三重大学大学院工学研究科
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塩谷 英一
(株)ニコン精機カンパニー
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新坂 俊輔
(株)ニコン精機カンパニー
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渡邉 博信
三重大学工学部
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平松 和政
三重大学
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三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
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Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
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元垣内 敦司
三重大学
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三宅 秀人
三重大
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元垣内 敦司
三重大・工
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福井 一俊
福井大 工
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石賀 章
三重大・工
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安川 浩範
三重大
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木田 喜啓
三重大
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田中 昭
静大電子研
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渡邊 博信
三重大学工学部
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木村 雅和
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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勝野 広宣
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
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田中 昭
Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University・Research Institute of Elec
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助川 徳三
Graduate School of Electronic Science and Technology, Shizuoka University・Research Institute of Elec
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元垣内 敦司
静大電子研
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木村 雅和
静大電子研
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勝野 廣宣
静大電子研
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助川 徳三
静大電子研
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勝野 宏宣
静岡大学電子工学研究所
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平松 和政
三重大
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平松 和政
三重大学大学院工学研究科:応用物理学会
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元垣内 敦司
三重大学大学院工学研究科
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真部 勝英
IC INOVA JAPAN(株)
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真部 勝英
IC INOVA JAPAN(株):三重大学大学院工学研究科博士後期課程
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元垣内 敦司
三重大学大学院工学研究科:応用物理学会:日本光学会
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平松 和政
三重大学大学院 工学研究科
著作論文
- 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
- 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
- 透明ショットキー電極を用いたGaN紫外線フォトダイオードの受光特性と電気的特性
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- 透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価(III族窒化物研究の最前線)
- ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価
- ショットキー型GaN系紫外線受光素子の真空紫外域での受光特性評価
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 真空紫外及び軟X線用光学フィルタとGaNショットキー型紫外線受光素子の特性評価
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性
- 高Al組成AlGaNを用いた真空紫外線受光素子の作製とその特性評価(AlN結晶成長シンポジウム)
- LED-16 LED感性系照明応用のための和紙の光学的特性評価
- 組成変換法によるGaInPおよびGaInAs混晶の成長
- GaP基板上へのGalnP混晶のLPE成長と計算機シミュレーション
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- AlGaN系紫外線受光素子の開発(2)真空紫外領域における受光感度特性評価
- 編集委員会と学会誌の30年間の変遷(第2章 歴史,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- GaP基板上へのInPおよびGaInP混晶の液相成長 : 半導体液相成長II
- GaP(lll)基板上にLPE成長したGaAs層における双晶発生条件 : 薄膜成長I
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
- LPE GaAs on GaPのGaAsPへの変換(II)
- 地元の伝統工芸品の新しい照明への活用 : 伊勢形紙をシェードとして用いたLED感性系照明の開発(技術の継承とともに時代にあった新技術の創出を:東海支部)