平松 和政 | 三重大学大学院工学研究科

スポンサーリンク

概要

• 平松 和政の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 三重大学大学院工学研究科の論文著者

関連著者

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大 工

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学大学院 工学研究科

• 劉 玉懐

  三重大学工学部電気電子工学科

• 桑野 範之

  九州大学産学連携センター

• 宮川 鈴衣奈

  三重大学大学院工学研究科

• 桑原 崇彰

  九州大学大学院総合理工学府

• 野村 拓也

  三重大学大学院工学研究科

• Kuwano Noriyuki

  Department Of Materials Science And Technology Kyushu University

• 武富 浩幸

  三重大学工学部電気電子工学科

• 楊 士波

  三重大学大学院工学研究科

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス

• 桑野 範之

  九州大学大学院総合理工学府

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス株式会社

• 藤田 浩平

  三重大学大学院工学研究科

• 奥浦 一輝

  三重大学大学院工学研究科

• 乗松 潤

  理研

• 平山 秀樹

  理研

• 光原 昌寿

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス(株)

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所

• 高岡 秀嗣

  浜松ホトニクス(株)電子管第2事業部

• 高岡 秀嗣

  浜松ホトニクス株式会社

• 福世 文嗣

  浜松ホトニクス(株)

• 武富 浩幸

  三重大学工学部

• 岡田 知幸

  浜松ホトニクス株式会社

• 平山 秀樹

  理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チーム

• 福世 文嗣

  浜松ホトニクス株式会社

• 岡田 知幸

  浜松ホトニクス(株)電子管事業部

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム

• 龍 祐樹

  九州大学大学院総合理工学府

• 桑野 範之

  九州大学

• 大西 孝

  三重大学工学部電気電子工学科

• 石賀 章

  三重大学工学部電気電子工学科

• 光原 昌寿

  九州大学大学院総合理工学府

• 中村 淳

  中部キレスト(株)

• 阿部 晃久

  三重大学工学部電気電子工学科

• 南部 信義

  中部キレスト長岡技科大

• 桑野 範之

  九州大学大学院総理工学研究科

• 原口 雅也

  九州大学総合理工学府

• 小出 晋也

  三重大学工学部電気電子工学科

• 中村 和哉

  三重大学工学部電気電子工学科

• 辻澤 健一

  三重大学工学部電気電子工学科

• 田鍋 智章

  三重大学工学部電気電子工学科

• 南部 信義

  中部キレスト(株)

• 石井 丈晴

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 松岡 史晃

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 中村 淳

  中部キレスト (株)

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学工芸学部

• 小川原 悠哉

  三重大学工学部電気電子工学科

• 生川 満久

  三重大学工学部電気電子工学科

• 菅原 克也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 小野 善伸

  住友化学

• 小野 善伸

  住友化学工業(株)筑波研究所

• 久保 俊晴

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 島原 佑樹

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 武富 浩幸

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 馬 ベイ

  三重大学工学部電気電子工学科

• 宮川 鈴衣奈

  三重大学工学部電気電子工学科

• 胡 衛国

  三重大学工学部電気電子工学科

• 江龍 修

  名古屋工業大学

• 菅原 克也

  北海道大学

• 勝野 琢弥

  三重大学工学部電気電子工学科

• 黎 大兵

  三重大学SVBL

• 増田 規宏

  三重大学工学部電気電子工学科

• 元垣内 敦司

  Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University

• 江崎 哲也

  九州大学総合理工学府

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• Hashizume Tomihiro

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• 奥村 建太

  三重大学大学院工学研究科

• 西川 直宏

  住友化学株式会社筑波研究所

• 長谷 吉起

  三重大学工学部電気電子工学科

• 楠 真一郎

  三重大学工学部電気電子工学科

• 土田 良彦

  住友化学株式会社筑波研究所

• 小野 善伸

  住友化学株式会社筑波研究所

• 片桐 佑介

  三重大学工学部電気電子工学科

• 奥浦 一輝

  三重大学工学部電気電子工学科

• 呉 潔君

  三重大学工学部電気電子工学科

• 小林 祐二

  浜松ホトニクス(株)中央研究所

• Hitosugi Taro

  Department Of Superconductivity University Of Tokyo

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学 工芸学部

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &

• 土田 良彦

  住友化学株式会社

• 高木 雄太

  三重大学大学院工学研究科

• 大内 澄人

  三重大学大学院工学研究科

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 小野 善伸

  住友化学株式会社 筑波研究所

• 西川 直宏

  住友化学株式会社 筑波研究所

• 福世 文嗣

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻:浜松ホトニクス株式会社

• 落合 俊介

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 高木 麻有奈

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 若木 守明

  東海大学工学部

• 佐藤 英樹

  三重大学大学院工学研究科

• 平山 秀樹

  BEANSプロジェクト

• 劉 玉懐

  三重大学SVBL

• 若木 守明

  東海大学工学

• 神崎 陽介

  東海大学工学研究科光工学専攻

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科:応用物理学会

• 元垣内 敦司

  三重大学大学院工学研究科

• 真部 勝英

  IC INOVA JAPAN(株)

• 真部 勝英

  IC INOVA JAPAN(株):三重大学大学院工学研究科博士後期課程

• 元垣内 敦司

  三重大学大学院工学研究科:応用物理学会:日本光学会

• 前坂 考哉

  三重大学大学院工学研究科

もっと見る 閉じる

著作論文

• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• HVPE法によるAlN厚膜の作製
• HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価
• ファセット制御技術による高品質窒化物半導体の作製
• 有効媒質近似を用いたGaNナノ針状構造の光学モデルの構築
• 結晶成長は究極のものづくり : 新生日本結晶成長学会に期待する
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (シリコン材料・デバイス)
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (電子部品・材料)
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (電子デバイス)
• a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (シリコン材料・デバイス)
• a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (電子部品・材料)
• a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (電子デバイス)
• エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• エピタキシャルAIN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• a面Sapphire上周期溝加工c面AINを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AIN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価 (電子デバイス)
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価 (レーザ・量子エレクトロニクス)
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価 (電子部品・材料)
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価
• 地元の伝統工芸品の新しい照明への活用 : 伊勢形紙をシェードとして用いたLED感性系照明の開発(技術の継承とともに時代にあった新技術の創出を:東海支部)
• 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 減圧CVD法によるグラフェン成長制御(有機材料,一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク