HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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AlGaN系の深紫外発光デバイス, 高周波・高出力電子デバイス作製用の基板材料として高品質な厚膜AlN単結晶が必要である.高品質な厚膜作製に適した結晶成長法にHVPE法があるが, AlNについては高品質な厚膜結晶は得られていない.本研究では, 減圧HVPE法によりAlNエピタキシャル膜及びサファイアを下地基板として用いてAlN成長を行い, その表面観察及び結晶性の評価を行った.成長温度を1150℃以上としてかつ成長速度を20μm/h以下にすることで, 表面が無色な鏡面のAlN膜を得た.(0002)回折XRC-FWHMの最小値は成長速度3.2μm/hでAlNエピタキシャル膜上に成長させたAlN膜で得られ, 46 arcsecであった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-20
著者
-
平松 和政
三重大学大学院工学研究科
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
阿部 晃久
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大 工
-
劉 玉懐
三重大学工学部電気電子工学科
-
辻澤 健一
三重大学工学部電気電子工学科
-
田鍋 智章
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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