選択成長によるGaNの結晶学的評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
HVPE法によりGaNの選択成長を行い、その結晶学的評価を行った。格子パターンによるGaN選択成長では、マクロステップを有する表面モフォロジーがAFMで観察され、膜厚の増大とともに格子歪みが緩和した。ストライプパターンを用いたELO-GaNをマスクの材料により比較すると、SiO_2をマスクに用いたELO-GaNでは成長面でのc軸傾斜が大きいのに対し、W(タングステン)をマスクに用いた場合にはc軸傾斜が小さく、良質な結晶であることが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-21
著者
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
澤木 宣彦
名古屋大学大学院工学研究科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
川口 靖利
名大・工
-
元垣内 敦司
三重大学工学部電気電子工学科
-
川口 靖利
名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
大西 勝
三重大学工学部電気電子工学科
-
曽根 弘樹
名古屋大学工学部電子工学料
-
沢木 宣彦
名古屋大学工学部電子工学科
-
澤木 宣彦
名古屋大学
-
澤木 宣彦
名古屋大
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
関連論文
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- 選択成長によるGaNの結晶学的評価
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN (電子部品・材料)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN (電子デバイス)
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
- 加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
- FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
- 30a-S-8 CuInSe_2、CuIn_3Se_5、Cu_2In_4Se_7結晶の光学的評価
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成
- AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
- AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
- AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 選択成長によるGaNの結晶学的評価
- 選択成長によるGaNの結晶学的評価
- HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- HVPE法によるAlN厚膜の作製
- HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- カルコパイライト型半導体結晶の溶液成長
- THM法によるカルコパイライト型半導体単結晶の作製
- 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 有効媒質近似を用いたGaNナノ針状構造の光学モデルの構築
- GaNナノ針状結晶の形成と電界放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- GaNナノ針状結晶の形成と電界放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (シリコン材料・デバイス)
- MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (電子部品・材料)
- MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (電子デバイス)
- a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (シリコン材料・デバイス)
- a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (電子部品・材料)
- a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (電子デバイス)
- MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)
- MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)
- 減圧MOVPE法によるGaN選択成長の圧力効果
- 減圧MOVPE法によるGaN選択成長の圧力効果
- 減圧MOVPE法によるGaN選択成長の圧力効果
- エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))