減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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概要

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• 深紫外LEDの基板として、周期溝加工したAlN/サファイア基板を用いることによりクラックフリーで低転位密度のAlN厚膜を減圧HVPE法により成長できた。本研究ではELOプロセスによってできるボイドの形成機構の検討を行った。ボイド上端の高さは溝幅と縦/横方向成長速度比(縦横比)に比例するということがわかった。ボイド下端の高さは(溝幅の二乗)/(溝深さ)で定義されるパラメータに比例するということがわかった。また、縦/横比は成長条件により変わり、成長温度が上がる、もしくはV/III比が上がるにつれて縦/横比は上がった。

• 2010-11-04

著者

• 藤田 浩平

  三重大学大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 乗松 潤

  理研

• 平山 秀樹

  理研

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所

• 平山 秀樹

  BEANSプロジェクト

• 平松 和政

  三重大 工

• 平山 秀樹

  理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チーム

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム

• 平松 和政

  三重大学大学院 工学研究科

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