平松 和政 | 三重大学大学院 工学研究科
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概要
関連著者
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平松 和政
三重大学大学院 工学研究科
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平松 和政
三重大学大学院工学研究科
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三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
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平松 和政
三重大 工
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Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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桑原 崇彰
九州大学大学院総合理工学府
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藤田 浩平
三重大学大学院工学研究科
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乗松 潤
理研
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平山 秀樹
理研
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平山 秀樹
(独)理化学研究所
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桑野 範之
九州大学産学連携センター
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平山 秀樹
理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チーム
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Department Of Materials Science And Technology Kyushu University
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宮川 鈴衣奈
三重大学大学院工学研究科
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楊 士波
三重大学大学院工学研究科
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平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
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野村 拓也
三重大学大学院工学研究科
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石井 丈晴
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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松岡 史晃
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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龍 祐樹
九州大学大学院総合理工学府
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桑野 範之
九州大学大学院総合理工学府
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奥浦 一輝
三重大学大学院工学研究科
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播磨 弘
京都工芸繊維大学工芸学部
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光原 昌寿
九州大学大学院総合理工学研究院
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桑野 範之
九州大学大学院総理工学研究科
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小林 祐二
浜松ホトニクス(株)中央研究所
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播磨 弘
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三重大学大学院工学研究科
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大内 澄人
三重大学大学院工学研究科
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吉田 治正
浜松ホトニクス
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光原 昌寿
九州大学大学院総合理工学府
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福世 文嗣
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻:浜松ホトニクス株式会社
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落合 俊介
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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佐藤 英樹
三重大学大学院工学研究科
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平山 秀樹
BEANSプロジェクト
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平松 和政
三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻
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吉田 治正
浜松ホトニクス株式会社
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元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
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平松 和政
三重大学大学院工学研究科:応用物理学会
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三重大学大学院工学研究科
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真部 勝英
IC INOVA JAPAN(株)
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IC INOVA JAPAN(株):三重大学大学院工学研究科博士後期課程
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元垣内 敦司
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前坂 考哉
三重大学大学院工学研究科
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元垣内 敦司
三重大学 大学院工学研究科 電気電子工学専攻
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真部 勝英
三重大学大学院 工学研究科
著作論文
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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- エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- エピタキシャルAIN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- a面Sapphire上周期溝加工c面AINを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AIN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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- サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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- エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価
- 地元の伝統工芸品の新しい照明への活用 : 伊勢形紙をシェードとして用いたLED感性系照明の開発(技術の継承とともに時代にあった新技術の創出を:東海支部)
- 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 減圧CVD法によるグラフェン成長制御(有機材料,一般)
- 地元の伝統工芸品の新しい照明への活用 : 伊勢形紙をシェードとして用いたLED感性系照明の開発