有効媒質近似を用いたGaNナノ針状構造の光学モデルの構築
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概要
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Nanotips are constructed naturally on a GaN surface by reactive ion etching (RIE) using Cl plasma. The GaN nanotips are distributed uniformly on the surface with a period of less than 100nm. As a result, the reflectance of the incident light decreases and the transmittance increases over a wide wavelength region ranging from ultraviolet to near infrared. The structure of the GaN nanotips can be controlled in the height and density ranges of 0.1〜2.0μm and 10^9〜10^<11>cm^<-2>, respectively. In this research, the reflectance spectra are measured at normal incidence, and an optical model is established by effective medium approximation (EMA), in which the GaN nanotip layer is considered to be a monolayer with an appropriate effective refractive index.
- 東海大学の論文
著者
-
平松 和政
三重大学大学院工学研究科
-
若木 守明
東海大学工学部
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大 工
-
若木 守明
東海大学工学
-
Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
-
神崎 陽介
東海大学工学研究科光工学専攻
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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