金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
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概要
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次世代ディスプレイとして期待されているFED (Field Emission Display)や,VFD(Vacuum Fluorescent Display)用の蛍光体として,材料信頼性が高く,伝導性があり,環境に有害な物質を含まないGaN系蛍光体が期待されている.本研究では金属-EDTA(エチレンジアミン四酢酸)混合錯体を出発原料として,青色発光するGaN:ZnとGaN:Mg粉体を合成した.X線回折測定とSEM観察より,異相を含まない粒径約400nmの六方晶GaN粉体を得た.また,光学特性評価においてGaN:Zn, GaN:Mgは共に波長430nmにD-Aペア青色発光を示し,ドーパントの組成を上げるごとに発光強度が増大して,1%で最大となった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-05-11
著者
-
平松 和政
三重大学大学院工学研究科
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
中村 淳
中部キレスト(株)
-
南部 信義
中部キレスト長岡技科大
-
平松 和政
三重大 工
-
劉 玉懐
三重大学工学部電気電子工学科
-
小出 晋也
三重大学工学部電気電子工学科
-
中村 和哉
三重大学工学部電気電子工学科
-
Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
-
南部 信義
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-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
-
中村 淳
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