高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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Al組成25%から60%のAlGaNの表面特性と深い準位の評価を行った。AlGaN表面に形成したショットキー障壁はAl組成の増加とともに大きくなることが分かった。数秒から数十秒の長時間測定窓を用いたDLTS評価によって、Al_<0.25>Ga_<0.75>NとAl_<0.37>Ga_<0.63>Nにおいて、それぞれ活性化エネルギー1.0eV、1.3eVの準位を検出した。両者の密度は1x10^<16>cm^<-3>以上であり、比較的高密度の準位の存在が確認された。さらに、光容量測定から支配的な準位のエネルギー位置と密度を見積もった。その結果はDLTS評価結果とよく一致しており、数十秒の極めて長い測定時定数を用いた場合でも、DLTS評価が正しく行われていることが確認された。また、450Kにおける長時間の容量過渡応答評価により、Al組成60%のAlGaNには活性化エネルギー1.3eV以上の準位が存在することが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-11-12
著者
-
三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
-
平松 和政
三重大学大学院工学研究科
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
菅原 克也
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
平松 和政
三重大 工
-
久保 俊晴
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
武富 浩幸
三重大学工学部
-
菅原 克也
北海道大学
-
Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
武富 浩幸
三重大学工学部電気電子工学科
-
Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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