MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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GaNをサファイア上に成長させると,熱膨張係数差や格子定数差により基板に反りが生じる。面内均一性に優れたデバイスを作製するためには,成長時における基板の反りの低減が必要である。本研究では,基板の反り低減を目的に選択成長法を用いてGaN膜中にボイドを形成し歪み緩和を行い,GaN成長における基板の反り制御を行った。
- 2011-05-12
著者
-
三宅 秀人
三重大学大学院工学研究科
-
平松 和政
三重大学大学院工学研究科
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大 工
-
Matsushima Hidetada
Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University
-
大内 澄人
三重大学大学院工学研究科
-
平松 和政
三重大学大学院 工学研究科
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