高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

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概要

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• 発光・受光素子の短波長化の必要性を背景に, Alモル分率が高いAlGaNの成長及び伝導性の制御が重要となっている.本研究では深紫外領域のデバイス作製において重要である高Alモル分率AlGaNのn型伝導性制御について報告する.サファイア(0001)上の厚さ1μmのAlN膜を下地基板として用いて, Alモル分率, Si流量及び膜厚を変化させたSi-doped AlGaNを減圧MOVPE法により成長させ, 結晶性・電気特性・光学特性などの評価を行った.幅広いAlモル分率, Si流量変化においてn型伝導性制御に成功した.CLによる光学特性評価においては, Alモル分率の増加によりスペクトルのピークが短波長側にシフトし, Si流量変化及び膜厚変化で不純物発光の増加が観測された.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-10-07

著者

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• 大西 孝

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大 工

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• 勝野 琢弥

  三重大学工学部電気電子工学科

• 劉 玉懐

  三重大学工学部電気電子工学科

• 黎 大兵

  三重大学SVBL

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

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