MOVPE法により成長した高品質AlNエピタキシャル膜(AlN結晶成長シンポジウム)
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概要
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High-quality AlN epitaxial films without any cracks are grown on (0001)-faced sapphire and 6H-SiC substrate using a metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) method. The AlN films have an atomically flat surface with well-ordered atomic steps. Full width at half maximum (FWHM) values of x-ray rocking curve (XRC) for (0002) plane of both AlN films are less than 100arcsec.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
-
田中 光浩
日本ガイシ株式会社研究開発本部
-
三宅 秀人
三重大工
-
勝川 裕幸
日本ガイシ株式会社
-
浅井 圭一郎
日本ガイシ(株)
-
平松 和政
三重大工
-
柴田 智彦
日本ガイシ
-
小田 修
日本ガイシ株式会社
-
平松 和政
三重大 工
-
田中 光浩
日本ガイシ
-
柴田 智彦
日本ガイシ株式会社
-
角谷 茂明
日本ガイシ
-
毛利 充宏
日本ガイシ
-
浅井 圭一郎
日本ガイシ株式会社
-
勝川 裕幸
日本ガイシ
-
小田 修
日本ガイシ(株)
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