MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_<1-x>N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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概要

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実用的且つ高出力のGaN系電子デバイスの実現という観点から,大型MOVPE炉を用いて100mm径サファイア上への高Al組成Al_xGa_<1-x>N/GaN (0.26 ≤ x_<Al> ≤ 0.52) HEMTエピの成長を検討した.Al_xGa_<1-x>N層の成長条件を最適化する事により,x_<Al> = 0.52という高いAlNモル分率を有するサンプルであっても±3%以内という良好な面内組成均一性を得る事が出来た.また,x_<Al> = 0.52としたウェハにおいては,シートキャリア密度は約1.75×10^<13>/cm^2に達し,その電子移動度も室温で約971 cm^2/Vsという比較的高い値が得られた.また,Hall効果測定と渦電流法によるシート抵抗マッピングの結果より,100mm径ウェハ上における電気特性の面内分布も良好である事が示された.
社団法人電子情報通信学会の論文
2003-09-26

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