RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法
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概要
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III族窒化物半導体のエッチングは主にドライエッチングが使われている。我々は、n-GaNをドライエッチング法の一つであるRIEでエッチングし、その影響を評価した。ダメージの評価としてPL測定を行った。エッチングによって、バンド端ピーク強度が低下し、イ***ーバンド発光強度比が増加した。XPS法による表面組成分析の結果、表面にエッチングガス元素に由来するピークが見られた。RIEでエッチングした試料上にショットキーダイオードを作製したところ、ダイオード特性の悪化が観測された。RIEダメージの回復法を検討したところ、N_2プラズマ処理後にアニールを施す手法が最も効果的であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-05-11
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
梅野 正義
名古屋工業大学
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
中路 雅晴
名古屋工業大学電気情報工学科
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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