MOCVD法を用いたサファイア基板上のGaN MESFETの諸特性
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概要
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サファイア基板上に成長したGaNを用いてMESFETを作製した。MOCVD法により成長したGaN:Siは300K、77Kにおいて移動度は585、1217cm^2/V・sであり、このときのキャリア濃度は1.1x10^<17>、2.4x10^<16>cm^<-3>であった。このような高品質の薄膜を用いてゲート長2μm、ゲート幅200μmのGaN MESFETを作製したところ、室温にて281mA/mmという高い電流レベルと33mS/mmという高い相互コンダクタンスを得た。GaN MESFETの高温で測定した所ところ、gの低下、ゲートリークの増加、ピンチオフ特性の悪化など、特性の劣化が観察された。このGaN MESFETを室温で再び測定したところ、ゲートリークが若干増加したがほぼ元の特性が得られた。サイドゲート効果が観察されたが、これはチャネル下のアンドープGaNの深い準位に関連しているものと思われる。シート抵抗の均一性を調べたところ良好な均一性が得られた。サファイア基板上のGaNには高密度転位が観察されるが、これが及ぼす電気的特性の均一性への影響は少ないと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-06
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
梅野 正義
名古屋工業大学
-
中村 光一
名古屋工業大学
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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