GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

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概要

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• AlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(HFET)の高周波特性向上のためにはソース抵抗の低減が必要不可欠である.今回ソース抵抗低減を目的としてGaNに格子整合するInAlGaNをキャップ層に用いたリセス構造HFETを検討し, FET動作を確認した.InAlGaNはGaNと格子整合し分極が下地のAlGaNよりも大きくなるよう組成設計し, 結晶成長は有機金属気相堆積法(MOCVD)により行った.Ti/Alオーミック電極とIn_<0.09>Al_<0.32>Ga_<0.59>Nのコンタクト抵抗は1.0×10^<-6>Ωcm^2と非常に小さく, 得られたリセス界面における寄生抵抗が従来のGaNキャップ層と比較して1/5まで低減されていることが判明した.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-10-06

著者

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 上田 哲三

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 井上 薫

  パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所

• 田中 毅

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 中澤 敏志

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 中澤 敏志

  松下電器産業(株)半導体社

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 井上 薫

  松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

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