高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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リセスゲートを有するAlGaN/GaN HEMTをSiC基板上に作製した。このHEMTのFET特性を改善するため,1)ゲート電極-ソース電極間距離を変化させた場合,および2)リセス・エッチングの深さを変えてゲート電極を形成しゲート電極-チャネル間距離を変化させた場合,の2種のゲート電極の位置について最適化を行った。その結果,今回変化させた範囲では,ゲート電極がソース電極に近づくにともない,またゲート電極がチャネルに近づくにともない,最大相互コンダクタンスg_<m-max>が増加することが分かった。その結果,ゲート長0.21μmの最適化したリセスゲートHEMTにおいて,g_<m-max> = 525 mS/mmを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-26
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
大来 英之
沖電気工業株式会社研究開発センタ
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
見田 充郎
沖電気工業
-
見田 充郎
沖電気工業株式会社 研究開発本部
-
佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
山田 朋幸
沖電気工業(株)研究開発本部
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
海部 勝晶
沖電気工業研究開発本部
-
佐野 芳明
沖電気工業
-
大来 英之
沖電気工業
-
海部 勝晶
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
海部 勝晶
沖電気工業株式会社
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