山田 朋幸 | 沖電気工業(株)研究開発本部
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概要
関連著者
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山田 朋幸
沖電気工業(株)研究開発本部
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海部 勝晶
沖電気工業株式会社研究開発本部
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名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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著作論文
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- (Ba,Rb)BiO_3を用いた三端子素子の作製と評価
- In/(Ba,Rb)BiO_3/SrTiO_3(Nb)三端子素子の作製と評価
- 酸化物三端子素子の接合特性の評価と解析(1)
- 高エネルギー電子注入型酸化物超電導ベース3端子素子技術 (特集 超電導特集) -- (超電導素子化技術開発)
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SC-6-5 リセスゲート構造AlGaN/GaN HEMT
- 高相互コンダクタンスを有するSic基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT
- AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
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- リセス構造を有するAlGaN/GaN HEMT (特集 ハードエレクトロニクス--超低損失パワーデバイス技術) -- (ナイトライドとダイヤモンドを含む高周波デバイス)
- 有機金属気相成長YBa2Cu3O7薄膜を用いたバイクリスタル粒界接合素子 (先端技術特集)