AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
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概要
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サファイア基板上に作成したリセスゲートAlGaN/GaN HEMTにおいて良好なDC、および高周波特性を得た。0.5μmゲート長のHEMTにおいて、DC特性はキンク効果や電流劣化現象もなく、相互コンダクタンス(gm)が327mS/mm、電流遮断周波数(f_T)が39GHzであった。この素子のintrinsic fTをもとめ、ゲート電極直下の実行電子速度を計算したところ、1.56x10^7cm/secという良好な値が得られた。さらに、ゲート電極の断面がT型で、ゲート長が0.21μmのHEMTを試作したところ、f_Tが57.2GHz、最大動作周波数(fmax)が108GHzという良好な特性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-09
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
見田 充郎
沖電気工業
-
佐野 芳明
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
山田 朋幸
沖電気工業(株)研究開発本部
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
槙田 毅彦
沖電気工業(株)研究開発本部 半導体技術研究所
-
海部 勝晶
沖電気工業研究開発本部
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
佐野 芳明
沖電気工業
-
槇田 毅彦
沖電気工業株式会社研究開発本部:超低損失電力素子技術開発研究体
-
槙田 毅彦
沖電気工業
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
海部 勝晶
沖電気工業株式会社研究開発本部
-
海部 勝晶
沖電気工業株式会社
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