サファイア基板上AlGaN/GaNの歪みと電気的特性
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概要
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サファイア基板上にAlGaN/GaNシングルヘテロ構造を成長して、成長層の格子定数をX線回折法により測定した。サファイア基板との熱膨張係数の違いにより室温で成長面に平行な二軸性圧縮応力を受けているGaNとその上に成長したGaNより薄いAlGaNの格子定数の関係を見積もったところ、1)AlNモル分率0.1より小さい範囲では圧縮応力が生ずる、2)AlNモル分率0.1でGaNと格子定数aが一致する、3)AlNモル分率が0.1以上では引っ張り応力が生ずる、という結果を得た。応力によって発生する歪みの方向が逆になるため、AlGaN内に発生するピエゾ電界はAlNモル分率0.1を境に反転する。また、AlGaN/GaNのホール効果測定を行った。77Kにおいてシートキャリア濃度はAlNモル分率の増加に単調に比例して高くなった。同温度において移動度はAlNモル分率0.064で最高の値となった。GaN、AlGaN両方共に圧縮応力を受けている状態でAlNモル分率が高い構造で高移動度が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-06
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
梅野 正義
名古屋工業大学
-
中村 光一
名古屋工業大学
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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