梅野 正義 | 名古屋工業大学
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概要
関連著者
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梅野 正義
名古屋工業大学
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神保 孝志
名古屋工業大学
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神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
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神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
曽我 哲夫
名古屋工業大学工学研究科未来材料創成工学専攻
-
中村 光一
名古屋工業大学
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中路 雅晴
名古屋工業大学電気情報工学科
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長谷川 義晃
松下電器産業株式会社
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
深見 武志
名古屋工業大学
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中田 尚幸
名古屋工業大学電気情報工学科
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中村 雅司
鈴鹿工業高等専門学校電気工学科
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長谷川 義晃
名古屋工業大学電気情報工学科
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Zhao Guang-yuan
Research Center For Micro-structure Devices Nagoya Institute Of Technology
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趙 廣元
名古屋工業大学・ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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國政 文枝
名古屋工業大学
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梅野 正義
中部大学工学部電子工学科
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内田 悦行
愛知工業大学工学部電気学科
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内田 悦行
愛知工業大学
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新宮 博康
愛知工業大学
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田口 裕規
名古屋工業大学
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王 鋼
名古屋工業大学大学院工学研究科
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鷲見 哲雄
愛知工業大学工学部電気工学科
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梅野 正義
中部大学工学部
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鷲見 哲雄
愛知工業大学
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児玉 秀作
名古屋工業大学大学院都市循環システム専攻
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川口 雅司
鈴鹿工業高等専門学校
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岡田 尚晃
名古屋工業大学
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板倉 健太郎
名古屋工業大学
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内田 秀雄
名古屋工業大学電気情報工学科
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村田 宜彦
名古屋工業大学電気情報工学科
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野間 敏弘
名工大
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川口 雅司
鈴鹿工業高等専門学校電気工学科
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中西 直樹
名古屋工業大学電気情報工学科
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Mominuzzaman S.m.
名古屋工業大学電気情報工学科
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神保 孝志
都市循環システム工学専攻
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萩本 幸治
都市循環システム工学専攻
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西川 直宏
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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藤田 和久
(株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室
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梅野 正義
中部大学
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神保 孝志
三重大学電気電子工学科
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梅野 正義義
名古屋工業大学
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Krishna Kalaga
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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邵 春林
名古屋工業大学工学部電気情報工学科
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Krishna K
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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梅野 正義
名古屋工業大学工学部電気情報工学科 極微構造デバイス研究センター
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兪 国林
名工大
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梅野 正義
名工大
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安井 利定
株式会社ネオックスラボ
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清水 昇市
名工大
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渡辺 敏英
(株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室
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庭野 裕
名古屋工業大学
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太田 正光
名工大
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西川 直宏
名古屋工業大学
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梅野 正義
名古屋工業大学 電気情報工学科
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邵 春林
名古屋工業大学
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庭野 裕
名古屋工業大学電気情報工学科
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ザマン カジ
名古屋工業大学電気情報工学専攻
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根萩 隆智
名古屋工業大学 電気情報工学科
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若松 英樹
名古屋工業大学 電気情報工学科
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Jimbo T
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
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萩本 幸治
名古屋工業大学都市循環システム工学専攻
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Kalaga Murali
極微構造デバイス研究センター
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小川 章
名古屋工業大学 電気情報工学科
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張 佰君
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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徳永 裕樹
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
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山口 晃
大陽日酸株式会社電子機材事業本部
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松本 功
大陽日酸イー・エム・シー株式会社
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渡邉 純二
熊大院
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足立 雅和
名古屋工業大学
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今枝 健一
中部大学工学部応用化学科
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Damodare Laxmikant
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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Md. Mosaddeq-ur-Rahman
名古屋工業大学大学院ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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村瀬 幸祐
名古屋工業大学
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小川 隆司
名古屋工業大学
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堀 健吾
名古屋工業大学
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王 剛
名古屋工業大学
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赤堀 仁哉
名古屋工業大学大学院工学研究科
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大野 彰仁
名古屋工業大学
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松本 功
日本酸素(株)つくば研究所
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高橋 光男
Atr環境適応通信研
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アルルクマラン サブラマニアム
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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秦野 和郎
愛知工業大学電子工学科
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藤田 和久
ATR光電波通信研究所
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渡辺 敏英
ATR光電波通信研究所
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平野 武範
鈴鹿工業高等専門学校
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石川 博康
名工大極微セ
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江川 孝志
名工大極微セ
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Pablo Vaccaro
ATR光電波通信研究所
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山田 泰之
名古屋工業大学電気情報工学科
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Vaccaro Pablo
(株)atr光電波通信研究所 通信デバイス研究室
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佐々木 望
名古屋工業大学工学部電気情報工学科
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立花 明知
京都大学
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阿久津 仲男
大陽日酸株式会社化合物事業部
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徳永 裕樹
日本酸素(株)つくば研究所電材開発部
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阿久津 仲男
日本酸素(株)産ガス電子機材事業部
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山口 晃
日本酸素(株)産ガス電子機材事業部
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日高 淳一
日本酸素(株)つくば研究所電材開発部
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立花 明知
京都大学工学部機械物理
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兪 国林
名古屋工業大学
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児玉 一志
フジミインコーポレーテッド(株)
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Arulkumaransu Subramanian
名古屋工業大学
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今泉 充
大同特殊鋼・新素材研
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中嶋 堅志郎
名工大
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吉田 有希
名古屋工業大学
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神保 孝志
名工大
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江瀧 修
名工大
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泉 勝俊
大阪府大
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王 景雪
名古屋工業大学電気情報工学科
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安井 利定
(株)ネオックスラボ
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渡辺 敏英
Atr光電波通信研
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児玉 一志
フジミインコーポレテッド
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高橋 光男
名古屋工業大学
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Vaccaro Pablo
名古屋工業大学
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藤田 和久
名古屋工業大学
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渡辺 敏英
名古屋工業大学
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似鳥 耕一
ATR光電波通信研究所
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太田 正光
名古屋工業大学情報工学科
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神村 俊光
名古屋工業大学
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Arullkumaran Subramaniam
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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井奈波 恒
名古屋工業大学電気情報工学科
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安達 充浩
名古屋工業大学
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白石 卓也
名古屋工業大学電気情報工学科
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伊藤 猛
名古屋工業大学
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王 景雪
名古屋工業大学工学部電気情報工学科
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楊 民挙
名古屋工業大学
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Oda Atsushi
Institute Of Biological Sciences University Of Tsukuba
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島崎 晃治
名古屋工業大学
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杣田 一郎
名古屋工業大学
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国政 文枝
名古屋工業大学 電気情報工学科
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江川 孝志
極微構造デバイスセンター
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西川 廣信
名古屋工業大学物理学教室
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岩瀬 泰章
名古屋工業大学工学部電気情報工学科
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岩瀬 和明
名古屋工業大学工学部電気情報工学科
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清水 昇市
名古屋工業大学
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野間 敏弘
名古屋工業大学
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Kalega Murali
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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曽我 哲夫
都市循環システム工学専攻
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Baskar K
名古屋工業大学電気情報工学科
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加藤 利道
名古屋工業大学電気情報工学科
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Zhao Guang
名古屋工業大学工学部電気情報工学科
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岩間 洋介
名古屋工業大学工学部電気情報工学科
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Oda Atsushi
Canare Electric Co. Ltd.
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出口 常正
名古屋工業大学
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Oda A
Institute Of Biological Sciences University Of Tsukuba
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酒井 士郎
名古屋工業大学工学部
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石黒 靖浩
名古屋工業大学
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日高 淳一
日本酸素(株)
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吾妻 豊
名古屋工業大学
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Zimmer Alessandro
名古屋工業大学工学部電気情報工学科
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鈴木 孝之
名古屋工業大学
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中津 孝規
名古屋工業大学 電気情報工学科
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カジ イクバルザマン
名古屋工業大学 名古屋
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枇杷木 孝恒
名古屋大学
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村瀬 励
東芝
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梅野 正義
名工大極微デバイスセンター
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曽我 哲央
名古屋工業大学
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森 政俊
名古屋工業大学
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Rahman Md.Mosaddeq-ur
名古屋工業大学大学院ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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梅野 正義
名古屋工業大学工学部
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今泉 充
大同特殊鋼(株)中央研究所
-
白石 卓也
名古屋工業大学
著作論文
- Si基板上GaN系発光ダイオードの結晶成長及び諸特性
- Characterization of TiO2 Incorporated Zeolite Thin Films for solar Cell Application
- C-4-34 Si基板上InGaN MQW LEDの作製
- Si基板上にSeS_2を用いて接着した高品質GaAs薄膜の作製とそのデバイス応用
- エピタキシャルリフトオフ法によるSi基板上GaAs太陽電池の特性(III族窒化物研究の最前線)
- C-10-4 水素系プラズマ処理によるSi上GaAs層のパッシベーション効果
- C-6-12 MOCVD法により成長したSi基板上InGapの特性改善
- 水素プラズマによるGaAs/Siのパッシベ-ション効果
- 水素プラズマによるGaAs/Siのパッシベーション効果
- サファイア基板上AlGaN/GaNの歪みと電気的特性
- MOCVD法を用いたサファイア基板上のGaN MESFETの諸特性
- サファイア基板上AlGaN/GaNの歪みと電気的特性
- MOCVD法を用いたサファイア基板上のGaN MESFETの諸特性
- 高温動作センサ用GaN系半導体の結晶成長
- GaNショットキーダイオードの特性
- GaNショットキーダイオードの特性
- SC-7-8 窒化物系半導体用MOCVD装置
- C-10-6 サファイア基板上AI_xGa_Nのショットキー特性
- ハイドープSiエピタキシャル基板の精密加工技術
- RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法
- RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法
- RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法
- C-4-25 GaN/AlGaN distributed Bragg reflectorを用いたInGaN MQW LEDの高性能化
- Si基板上GaNの暗点密度観察
- Si基板上GaNの暗点密度観察
- Si基板上GaNの暗点密度観察
- 超高温特異環境トランジスタの開発基礎研究II(プロジェクト研究)
- 電気回路接続部に発生するホットゾーン現象
- 超高温特異環境トランジスタ開発基礎研究(プロジェクト研究)
- 直流12V回路における導体接続部のホットゾーン
- (311)A面GaAs基板上に作製したInGaAs/GaAs/AlGaAs歪み量子井戸レーザの発振特性
- GaAs(lll)A基板上AlGaAs/GaAsダブルヘテロ構造LDの作製
- 天然材料から作られた半導体カーボン薄膜の光学的、電気的特性の評価
- 天然材料から作られた半導体カーボン薄膜の光学的、電気的特性の評価
- 大きさ・位置特定ネットワークによる最高速度標識の認識システム
- A-1-9 CMOS多値回路の設計と画像処理への応用
- D-2-1 生態の視覚系モデルによる動き検出アナログ電子回路
- InxGa1-_xAs活性層を有するSi基板上面発光レーザの試作
- エピタキシャルリフトオフ法によるSi基板上GaAs太陽電池の特性(III族窒化物研究の最前線)
- エピタキシャルリフトオフ法によるSi基板上GaAs太陽電池の特性(III族窒化物研究の最前線)
- 水素プラズマによるGaAs/Siのパッシベ-ション効果
- MOCVD法により作製したSi基板上面発光レーザ
- MOCVD法を用いたSi基板上GaAs系面発光レーザの試作
- 高効率太陽電池の現状
- ヘテロエピキタシー
- 生体の視覚系モデルによる文字パタ-ン認識 (生体情報システムと制御)
- InGaAsP可視光半導体レ-ザ-の理論解析
- プラズマMOCVD装置の開発とInP薄膜結晶成長
- 地中レ-ダ高性能化の研究
- 人工網膜の一アプロ-チ
- アモルファスSi:H薄膜作成装置とその薄膜特性
- 半導体レ-ザの周波数スペクトラムの微細構造
- Si基板上GaAs系発光デバイス : 光電子集積回路実現に向けて
- 大気中での原子間力顕微鏡による結晶評価
- Si基板上GaAs系レーザに関する研究
- Si基板上赤外面発光レーザ用半導体多層膜反射鏡
- 有機金属気相成長法によるSi基板上GaAs系面発光レーザに関する研究
- 有機金属気相成長法によるSi基板上GaAs系面発光レーザに関する研究
- Si基板上GaAs系面発光レーザの特性改善に関する研究
- 赤外線加熱方式MOCVD装置の開発
- 階層型ニューラルネットを用いた速度標識の位置特定
- 階層型ニューラルネットを用いた速度標識の位置特定
- 階層型ニューラルネットを用いた速度標識の位置特定
- 車載用視覚補助システムの研究
- 車載用視覚補助システムの研究
- 化学ビームエピタキシャル(CBE)法とそれによるシリコン基板上化合物半導体の結晶成長
- ニューロンモデルを用いた手書き文字認識システムの試作
- 18)人工網膜のアプローチ((テレビジョン電子装置研究会(第117回)画像表示研究会(第77回))合同)
- 人工網膜のシミュレ-ション
- 人工網膜の一アプローチ
- 天然材料から作られた半導体カーボン薄膜の光学的、電気的特性の評価
- 化合物半導体/シリコン積層構造を用いた超高効率太陽電池
- リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN HEMTの諸特性
- リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN MODFETの諸特性
- リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN MODFETの諸特性
- 常圧MOCVD法によるGaN/AlGaN多層膜反射鏡の作製
- Molecular Beam Epitaxy of Gallium Antimonide
- ヘテロエピタキシャル成長技術を用いたSi基板上半導体レーザー
- ヘテロエピタキシャル成長技術を用いたSi基板上半導体レ-ザ-
- MOCVD法を用いたGaAs/Si上の光・電子デバイス
- Si基板上AlGaAs/GaAs面発光レーザの作製
- 化学物質のマイクロ波複素誘電率
- GaAsドット活性領域を有するSi基板上レーザの試作
- 自己形成GaAsドットAlGaAs/GaAsレーザの試作
- Si基板上の自己形成GaAsアイランドレーザーの閾値電流の解析
- Si基板上の自己形成GaAsアイランドレーザーの閾値電流の解析
- MOCVD法によるSi基板上へのGaAs結晶成長とその評価
- Si上面発光レーザ
- Si基板上へのGaAs系およびGaN系結晶のヘテロエピタキシーとデバイス応用
- GaN系面発光レーザ用GaN/Al_Ga_N多層膜反射鏡の作製 (窒化物・青色光半導体)
- C-4-33 TiO_2/SiO_2誘電体多層膜反射鏡を用いたサファイア基板上InGaN MQW LED
- 青色面発光レーザ用GaN/AlGaN半導体多層膜反射鏡の作製
- 青色面発光レーザ用GaN/AlGaN半導体多層膜反射鏡の作製
- 分光エリプソメトリを用いた化合物半導体の評価
- MOCVD法によるAl_0.22>Ga_0.78>As/Siタンデム型太陽電池の試作
- 歪み超格子を中間層に用いたSi基板上へのIII-V化合物半導体のMOCVD成長
- SC-7-1 ヘテロエピと光・準ミリ波帯電子デバイスの可能性
- The Application of Optoelectronic Devices to Pattern Recognition through Neural Networks
- マイクロ波表面波プラズマCVDによるカーボン薄膜の作成
- MOCVD法によるGaAs基板上への島状InGaAs自己形成
- 現地実行委員会報告(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- 文字パタ-ン認識における自己組織化を利用した特徴量の検出
- 人工網膜のシミュレーション : 文字パターンの認識過程に必要な特徴量の検出(画像変換装置)
- Si上GaAsによる光導波路と量子閉込めシュタルク効果による光スイッチ
- GaNのドライエッチング技術
- SC-7-13 サファイア基板上のリセスゲートAlGaN/GaN HEMT
- Si上に成長したGaPの格子歪・格子変形 : 評価
- SC-5-5 サファイア基板上のAlGaN/GaN MODFETの諸特性