水素プラズマによるGaAs/Siのパッシベ-ション効果
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概要
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MOCVDで成長したSi上のGaAs膜を水素プラズマで処理した。C-V、PL、DLTS測定により水素プラズマのパッシベ-ション効果を研究した。低温PL(4.2K)特性の改善を観察した。浅い不純物のパシベ-ション効果の他に、深い準位のパッシベ-ション効果も確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-05-22
著者
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
梅野 正義
名古屋工業大学
-
曽我 哲夫
名古屋工業大学工学研究科未来材料創成工学専攻
-
王 鋼
名古屋工業大学大学院工学研究科
-
神保 孝志
名古屋工業大学
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