(311)A面GaAs基板上に作製したInGaAs/GaAs/AlGaAs歪み量子井戸レーザの発振特性

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概要

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(100)面以外のオフセット基板上に作製したAlGaAs/GaAs半導体レーザが低しきい値・高効率動作を有することが実験および理論的に明らかにされている。しかし、Er^3+ドープファイバアンプの低雑音励起用光源として注目されているInGaAs/GaAs/AlGaAs歪み量子井戸レーザへ、この基板のオフセット効果を応用した報告例はほとんど無い。また、最近オフセット基板上に作製した量子井戸レーザからの第2次高調波の発生の可能性が明らかにされており、オフセット基板を用いた新たな応用への可能性が期待されている。今回、(311)A面GaAs基板上にMBE法を用いて、In_<0.2>Ga_<0.8>As/GaAs量子井戸レーザを試作した結果、(100)面上の素子に比較して発光再結合確率が増大することを確認した。さらに、ストライプ電極LDを作製し、良好な温度特性を得たので報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-09-26

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