Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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Si基板上AlGaN/GaN HEMTについてp-InGaN cap層の検討によりノーマリオフ化を図った。p-InGaN cap層のMgの活性化のためアニール温度を700℃から850℃まで50℃間隔から変化させ諸特性を測定したところ、活性化アニール温度800℃において閾値電圧V_<th>が1.48Vを示し、ノーマリオフ特性として比較的良好な値を得ることができた。従来のSi基板上AlGaN/GaN HEMTに比べ3V正の方向にシフトしたことが確認できた。またp-InGaN層の結晶成長温度700℃から1000℃まで50℃間隔から変化させ諸特性を測定したところ、成長温度800℃においてV_<th>が1.62Vを示しノーマリオフ特性を得ることができた。また、ゲート電圧を3.5Vまでかけることができた。
- 2010-05-06
著者
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
セルバラージ ローレンス
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
江川 孝志
名古屋工業大学工学部附属極微構造デバイス研究センター
-
永井 一弘
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
Research Center For Nano-device And System Nagoya Institute Of Technology
-
Egawa Takashi
Pharmaceutical Research Center Meiji Seika Kaisha Ltd.
-
セルバラージ ローレンス
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
-
永井 一弘
名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター
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