ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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AlGaN/GaN HFETをパワースイッチングデバイスに応用するためには、デバイスの低オン抵抗化と高耐圧化の両立、および低コスト化が課題である。我々は今回これらの課題解決のため、導電性Si基板上のソースビア接地構造を用いたAlGaN/GaNパワーHFETを開発した。導電性基板を用いることで、表面ビアホールを介してソース電極をSi基板に接地できる。その結果、ソース配線およびソースパッドをチップ表面から排除でき、チップサイズの縮小を可能にした。導電性Si基板を裏面フィールドプレートとして作用させることにより、表面フィールドプレートを形成せずにオフ耐圧350Vを実現した。オン抵抗は1.9mΩ・cm^2、最大ドレイン電流は150Aを得た。さらに電流密度2.0kA/cm^2でのターンオン時間98psec、ターンオフ時間96psecの高速スイッチングに初めて成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-11
著者
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
中澤 一志
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上野 弘明
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
引田 正洋
パナソニック株式会社
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック株式会社
-
上本 康裕
パナソニック株式会社
-
廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
上野 弘明
松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
-
中澤 一志
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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