MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討

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概要

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• 2005-05-20

著者

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 日比野 聡彦

  名古屋工業大学大学院

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