n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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n-(AI)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理について検討した。まず、10nm以下の薄いNi上に仕事関数の異なる金属を蒸着し熱処理した。熱処理前はほぼ同じ障壁高さであったが、熱処理すると障壁高さはNi上金属の仕事関数に依存した。障壁高さと仕事関数の関係の勾配Sは0.85であり、表面ピンニングの少ないショットキー電極が形成されていた。最大の障壁高さは、熱処理したNi/Pt/Au(GaN上)で1.3eVであった。また、障壁高さが増加すると逆方向電流は減少した。次にNi/Pt/AuとPt/Au構造の熱処理依存性を検討し、高い障壁高さを得るためにNiが必要であることがわかった。熱処理したNi/Pt/Auをゲート電極として用いたAlGaN/GaN HEMTでは相互コンダクタンスを減少させずにゲートリーク電流を減少させることができた。また、オフ耐圧が熱処理することで114Vから200Vに向上した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-26
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
尾関 龍夫
三菱電機
-
尾関 龍夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
三浦 成久
三菱電機先端技術総合研究所
-
大石 敏之
三菱電機株式会社
-
大石 敏之
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
三浦 成久
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
吹田 宗義
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
南條 拓真
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
阿部 雄次
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
大石 敏之
三菱電機(株)
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
阿部 雄次
三菱電機先端総研
-
南條 拓真
三菱電機
-
吹田 宗義
三菱電機
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