阿部 雄次 | 三菱電機先端総研

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概要

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関連著者

• 阿部 雄次

  三菱電機先端総研

• 大石 敏之

  三菱電機株式会社

• 吹田 宗義

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 阿部 雄次

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 大石 敏之

  三菱電機(株)

• 南條 拓真

  三菱電機

• 吹田 宗義

  三菱電機

• 三浦 成久

  三菱電機先端技術総合研究所

• 大石 敏之

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 三浦 成久

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 尾関 龍夫

  三菱電機

• 尾関 龍夫

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 南條 拓真

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 阿部 雄次

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 南條 拓真

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 吹田 宗義

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 徳田 安紀

  三菱電機 先端技術総合研

• 萩行 正憲

  阪大レーザー研

• 今井 章文

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 柳生 栄治

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 秋山 浩一

  三菱電機先端総研

• 徳田 安紀

  三菱電機先端総研

• 高野 恵介

  阪大レーザー研

• 千代田 唯

  阪大レーザー研

• 今井 章文

  三菱電機

• 丸野 茂光

  三菱電機株式会社先端総研

• 柳生 栄治

  三菱電機

• 蔵田 哲之

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 塩沢 勝臣

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 徳田 安紀

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 塩沢 勝臣

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 佐山 弘和

  三菱電機ulsi技術開発センター

• 塩沢 勝臣

  三菱電機(株)

• 古川 泰助

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 柳生 栄治

  三菱電機株式会社

• 古川 泰助

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 杉原 浩平

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 中畑 匠

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 丸野 茂光

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 南條 拓真

  三菱電機株式会社

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 萩行 正憲

  大阪大学レーザーエネルギー学研究センター

• 萩行 正憲

  阪大超伝導セ

• 秋山 浩一

  三菱電機株式会社

• 佐山 弘和

  ULSI技術開発センター

• 徳田 安紀

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所:光産業技術振興協会

• 神保 孝志

  名古屋工業大学

• 徳田 安紀

  三菱電機

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 大石 敏之

  三菱電機

• 吉田 直人

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 中本 隆博

  三菱電機株式会社

• 青柳 克信

  理化学研究所

• 青柳 克信

  理化学研究所・東京工業大学

• 佐山 弘和

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 吉新 喜市

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 吉田 直人

  三菱電機株式会社波光括

• 武内 道一

  理化学研究所

• 尾関 龍夫

  三菱電機株式会社応用機器研究所

• 丸野 茂光

  三菱電機株式会社人材開発センター

• 吉田 直人

  三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所

• 吉新 喜市

  三菱電機先端技術総合研究所

• 吉新 喜市

  三菱電機

• 武内 道一

  理化学研究所・東京工業大学

• 丸野 茂光

  三菱電機株式会社

• 吉新 喜市

  三菱電機 先端技総研

• 尾関 龍夫

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 佐山 弘和

  三菱電機(株)

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著作論文

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• Siイオン注入した窒化物半導体上のAlフリーオーミック電極(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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• 結晶軸に沿ったZnイオン注入によるGaNの高抵抗化
• n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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• AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
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• ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD-2000-69 サブ0.1μmCMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
• ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD2000-69 サブ0.1 μm CMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
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• 自己補対金属チェッカーボードパターンのテラヘルツ応答(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
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• Siイオン注入ドーピング技術を適用したAlGaN/AlN/GaN HEMT
• AlGaNチャネルHEMTにおけるドレイン耐圧の向上
• GaAs pHEMTのICTS測定(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• 自己補対金属チェッカーボードパターンのテラヘルツ応答

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