ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD-2000-69 サブ0.1μmCMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
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概要
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急激な微細化に伴いCMOS技術にも様々な物理的な限界が見え始め, 特に寸法縮小による寄生抵抗やリーク電流の増大が懸念されており, これらの問題を解決する新らし技術の開発が求められている.本報告では, サブ0.1μmMOSFETの課題について概観した後, 高性能化を進めていくための有力なドレインエンジニアリングの一つとして考えられているエレベイテッドソース・ドレイン技術に関し, Si選択エピタキシャル成長技術も含めて, ソース・ドレイン部の寄生抵抗および接合リーク電流の低減などについて述べる.あわせて, ゲートエンジニアリングとして, T字型ゲート構造によるゲート抵抗低減やメタルゲートの有効性などについても述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-18
著者
-
塩沢 勝臣
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
徳田 安紀
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
塩沢 勝臣
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
佐山 弘和
三菱電機ulsi技術開発センター
-
塩沢 勝臣
三菱電機(株)
-
古川 泰助
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
三浦 成久
三菱電機先端技術総合研究所
-
古川 泰助
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
大石 敏之
三菱電機株式会社
-
大石 敏之
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
三浦 成久
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
阿部 雄次
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
杉原 浩平
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
佐山 弘和
ULSI技術開発センター
-
中畑 匠
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
丸野 茂光
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
大石 敏之
三菱電機(株)
-
阿部 雄次
三菱電機先端総研
-
徳田 安紀
三菱電機 先端技術総合研
-
丸野 茂光
三菱電機株式会社先端総研
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