Ruをキャップ層にしたNi-Fe薄膜の磁気特性(薄膜)
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概要
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Magnetic properties of Ni-Fe ultra thin films with a Ru capping layer were investigated for application to magnetic random access memory units (MRAMs). The sample structure, which simulated an MRAM free layer, is Si-sub./SiO_2/Ni-Fe (t nm)/CL (7 nm ; CL=Ru, Ta). The Ni-Fe thin films less than 3 nm thick show low coercive fields of less than 1 Oe because of employment of the Ru capping layer. Moreover, from evaluation of the magnetization of the Ni-Fe films, we found that the Ru capping layer results in less dead-layer formation in comparison with a conventional Ta capping layer. The Ru capping layer is valuable for MRAM use in terms of low coercive magnetic field and effective thickness control.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2005-04-01
著者
-
小林 浩
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
長永 隆志
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
黒岩 丈晴
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
黒岩 丈晴
三菱電機(株)先端技術総合研究所プロセス基礎技術部
-
拜山 沙徳克
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
古川 泰助
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
大森 達夫
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
沙徳克 拜山
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
古川 泰助
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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