5a-TB-6 235nm-245nmレーザ光で励起されたNaからの発光
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1984-09-10
著者
-
大森 達夫
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
植田 至宏
三菱電機中研
-
藤田 重人
超電導工学研究所
-
斧 高一
三菱中研
-
大森 達夫
三菱中研
-
藤田 重人
三菱中研
-
成川 武文
MFC
-
植田 至宏
三菱中研
関連論文
- 高誘電率材料(Ba,Sr)TiO_3を用いた1G DRAM対応キャパシタ技術
- Ruをキャップ層にしたNi-Fe薄膜の磁気特性(薄膜)
- Ruをキャップ層にしたNi-Fe薄膜の磁気特性
- Ruをキャップ層にしたNiFe薄膜の磁気特性
- 13a-F-13 大電流アークの分光学的研究 V
- 8a-U-9 大電流アークの分光学的研究 IV
- 3p-R-12 大電流アークの分光学的研究 III
- 3p-R-10 高速気流中アークの動特性 I
- 9p-N-1 火花放電の分光学的研究-II
- 1a-GF-10 火花放電の分光的研究-I
- 28p-APS-96 Bi系超電導薄膜の印加磁場効果を含むトンネルスペクトル
- 27p-PS-92 酸化物超電導体のトンネルスペクトルに対する磁場効果
- YBa_2Cu_4O_8のトンネルスペクトルに対する磁場効果
- 31p-Z-2 Y_1Ba_2Cu_4O_y超電導体のトンネルによる電圧-電流特性の測定
- プラズマ現象の光学的診断
- 分光測定によるしゃ断現象解析技術
- 30p-S-11 HeプラズマとH_2ガスの接触で生じるHeIの異常電子分布
- 6a-K-12 中性ガスにより急冷された再結合プラズマにおける反転分布
- 6p-F6-13 TPD-Iプラズマにおける, パルスガス導入による反転分布生成
- 28a-Y1-8 相対論的電子ビームによる気体の電離・励起過程
- 28a-Y1-2 TPD-Iプラズマにおけるパルス高圧ガス導入による反転分布生成
- 5a-TB-6 235nm-245nmレーザ光で励起されたNaからの発光
- 4a-N-5 REB励起による希ガス原子線のASE
- 高周波CMOSデバイスモデリング技術 (特集 光・高周波デバイス)
- 5GHz帯整合回路一体形CMOS MMICフロントエンド
- C-2-8 5GHz 帯整合回路一体形 CMOS MMIC フロントエンド
- C-2-6 挿入損失 0.8dB、耐電力 17.4dBm、5GHz 帯送受信切替 CMOS スイッチ
- 耐電力21.5dBm・5GHz送受信切替CMOSスイッチ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- C-2-27 5GHz 帯整合回路一体形カスコード CMOS 高出力増幅器
- C-2-25 5.2GHz 帯整合回路一体形 CMOS 低雑音増幅器
- CMOSプロセスによる高周波デバイス技術 (特集 IT社会に貢献する半導体)
- C-2-19 シリコン MOS 型素子の高周波用等価回路モデルの検討
- 高誘電率材料(Ba,Sr)TiO_3を用いた1G DRAM対応キャパシタ技術
- 耐電力21.5dBm・5GHz送受信切替CMOSスイッチ(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- C-2-33 CMOSプロセスによるスパイラルインダクタの特性
- ECR放電を用いたCl_2プラズマによるSiエッチング : プラズマ診断とエッチング機構
- ガスパフプラズマを用いたゲート電極エッチング時の薄膜酸化膜へのダメージ評価
- 27p-ZK-11 プラズマ中での原子自然放射遷移確率変化の可能性
- 1a-L-6 JIPP T-IIUのICRF加熱実験における鉄イオンの輸送と電離・再結合
- 6p-J-14 高速気流中アークの動特性 II
- パルスレ-ザ用半導体方式ダイレクトドライブパルサの開発