高誘電率材料(Ba,Sr)TiO_3を用いた1G DRAM対応キャパシタ技術
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概要
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(Ba,Sr)TiO_3 [BST]薄膜を誘電体膜とする厚膜スタックトキャパシタの開発を目的として,溶液気化CVD法によるBST薄膜の成膜,およびRuのキャパシタの電極への適用を検討した.その結果,低温での皮膜と結晶化を繰り返す2ステップ成膜プロセスにより,Ru電極上で平滑な膜表面を有し,電極側面への被覆率の高いBST薄膜を皮膜できることがわかった.また,Ruは,O_2系プラズマによりマスク側壁への膜付着のない加工ができること,BST堆積工程で酸化されず安定であること等から高誘電率キャパシタの電極材料に適していることが明らかとなった.Ru電極上に成膜した厚さ25nmのBST薄膜の電気特性として,2×10^<-8>A/cm^2程度のリーク電流密度と0.5nmのシリコン酸化膜換算膜厚が得られた.更に,ストレージ電極寸法0.24μm×0.60μm,高さ0.20μmの微細なスタックトキャパシタを試作し,1Gbit DRAMメモリセルへの適用性を検討した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-25
著者
-
黒岩 丈晴
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
黒岩 丈晴
三菱電機(株)
-
黒岩 丈晴
三菱電機(株)先端技術総合研究所プロセス基礎技術部
-
堀川 剛
三菱電機(株)先端技術総合研究所プロセス基礎技術部
-
結城 昭正
三菱電機(株)先端技術総合研究所開発戦略グループ
-
芝野 照夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所プロセス基礎技術部
-
川原 孝昭
三菱電機(株)先端技術総合研究所プロセス基礎技術部
-
蒔田 哲郎
三菱電機(株)先端技術総合研究所プロセス基礎技術部
-
山向 幹雄
三菱電機(株)先端技術総合研究所プロセス基礎技術部
-
大森 達夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所プロセス基礎技術部
-
三上 登
三菱電機(株)先端技術総合研究所プロセス基礎技術部
-
斧 高一
三菱電機(株)先端技術総合研究所プロセス基礎技術部
-
大森 達夫
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
川原 孝昭
三菱電機
-
川原 孝昭
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
山向 幹雄
三菱電機
-
斧 高一
三菱電機
-
堀川 剛
三菱電機(株)
-
蒔田 哲郎
三菱電機(株)京都製作所
-
芝野 照夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
三上 登
三菱電機(株)
-
結城 昭正
三菱電機
-
結城 昭正
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
結城 昭正
三菱電機(株)
-
結城 昭正
三菱電機 先端技総研
-
堀川 剛
三菱電機 先端技総研
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