高速/高信頼性130nm-node MRAM(新型不揮発性メモリ)
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概要
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130nm-node logicプロセスによりMRAMを試作し1.2V単一電源で100MHzの高速動作を実現した。0.26x0.44μm^2にパターニングしたMTJにおいても高い信頼性は維持され、少なくとも10^<13>回までの書き換え試験では特性の劣化はない。また、さらなる高速化の為、動作速度に対するMTJ構造最適化への指針を示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-03-04
著者
-
上野 修一
(株)ルネサステクノロジ
-
栄森 貴尚
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ
-
黒岩 丈晴
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
黒岩 丈晴
三菱電機(株)
-
土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
-
大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
-
栄森 貴尚
(株)ルネサステクノロジ
-
古田 陽雄
(株)ルネサステクノロジ
-
前島 伸六
(株)ルネサステクノロジ
-
辻 高晴
(株)ルネサステクノロジ
-
古賀 剛
(株)ルネサステクノロジ
-
大路 譲
(株)ルネサステクノロジ
-
辻 高晴
株式会社ルネサステクノロジ
-
古田 陽雄
株式会社ルネサステクノロジ
-
大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
土本 淳一
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
土本 淳一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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