大路 譲 | 半導体先端テクノロジーズ(selete)
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概要
関連著者
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
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大路 譲
(株)ルネサステクノロジ
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栄森 貴尚
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ
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栄森 貴尚
(株)ルネサステクノロジ
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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前川 繁登
(株)ルネサステクノロジ
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
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一法師 隆志
(株)ルネサステクノロジ
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平野 有一
三菱電機(株)
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平野 有一
(株)ルネサステクノロジ
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大路 譲
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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大路 譲
日立製作所半導体事業部
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杉田 義博
(株)半導体先端テクノロジーズ
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平野 有一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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林 岳
(株)ルネサステクノロジ
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
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上野 修一
(株)ルネサステクノロジ
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宮崎 誠一
広大院先端研
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倉田 英明
(株)日立製作所 中央研究所
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鳴海 俊一
ルネサステクノロジ
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山下 朋弘
(株)ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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黒岩 丈晴
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
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黒岩 丈晴
三菱電機(株)
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園田 賢一郎
株式会社ルネサステクノロジ
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土本 淳一
(株)ルネサステクノロジ
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谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
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尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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西出 征男
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
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宮崎 誠一
広島大学 工学部
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河原 尊之
(株)日立製作所中央研究所
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石川 清志
株式会社ルネサステクノロジ
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門島 勝
(株)半導体先端テクノロジーズ
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松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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古田 陽雄
(株)ルネサステクノロジ
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前島 伸六
(株)ルネサステクノロジ
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辻 高晴
(株)ルネサステクノロジ
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古賀 剛
(株)ルネサステクノロジ
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西田 征男
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
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古田 陽雄
株式会社ルネサステクノロジ
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谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
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平野 有一
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
一法師 隆志
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
前川 繁登
株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
石川 清志
(株)ルネサステクノロジ
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園田 賢一郎
(株)ルネサステクノロジ
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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犬石 昌秀
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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鳴海 俊一
(株)ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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倉田 英明
(株)日立製作所
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宮崎 誠一
広大
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石川 清志
ルネサステクノロジ
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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門島 勝
ルネサステクノロジ
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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知京 豊裕
物材機構
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蓮沼 隆
筑波大学電子・物理工学専攻
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渡部 平司
大阪大学
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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木村 紳一郎
(株)日立製作所中央研究所
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大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
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河原 尊之
日立製作所・中央研究所
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三瀬 信行
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所
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曽根田 光生
ソニー株式会社 メディアプロセシング研究所
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山田 順三
NTT通信エネルギー研究所
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白石 賢二
筑波大院数物
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青木 正和
日立製作所半導体事業部
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黒井 隆
(株)ルネサステクノロジ
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岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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川崎 洋司
(株)ルネサステクノロジ
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山下 朋弘
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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林 岳
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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西田 征男
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
川崎 洋司
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
黒井 隆
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
尾田 秀一
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
栄森 貴尚
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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曽根田 光生
ソニー(株)半導体事業本部 研究部
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由上 二郎
(株)ルネサステクノロジ
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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西田 高
日立製作所中央研究所
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山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
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川瀬 靖
日立デバイスエンジニアリング(株)
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堀口 真志
(株)日立製作所半導体事業部
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秋葉 武定
日立デバイスエンジニアリング(株)
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川尻 良樹
(株)genusion
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橘川 五郎
日立製作所中央研究所
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堀口 文男
株式会社 東芝 半導体事業本部
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松岡 秀行
(株)日立製作所基礎研究所
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宿利 章二
(株)GENUSION
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堀口 真志
日立製作所中央研究所
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川尻 良樹
日立製作所半導体事業部
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立花 利一
日立デバイスエンジニアリング
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境 武志
日立デバイスエンジニアリング
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宿利 章二
日立製作所中央研究所
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相良 和彦
日立製作所中央研究所
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永井 亮
日立製作所中央研究所
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長谷川 昇雄
日立製作所中央研究所
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横山 夏樹
日立製作所中央研究所
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木須 輝明
日立超LSIエンジニアリング
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山下 寿臣
日立超LSIエンジニアリング
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久禮 得男
日立製作所中央研究所
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中島 清美
物質材料機構
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知京 豊裕
物質材料機構
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網中 敏夫
(株)半導体先端テクノロジーズ
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黒澤 悦男
(株)半導体先端テクノロジーズ
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山田 順三
NTT LSI研究所
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諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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山田 順三
Ntt 通信エネルギー研
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山田 順三
Ntt
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土屋 龍太
日立製作所中央研究所
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木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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牧 幸生
ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
-
渡部 平司
大阪大学大学院工学研究科
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横山 夏樹
日立製作所 中央研究所
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坂下 真介
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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森 健壱
(株)ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
森 健壹
株式会社ルネサステクノロジ
-
蓮沼 隆
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
相良 和彦
(株)日立製作所中央研究所
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辻 高晴
株式会社ルネサステクノロジ
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山岡 雅直
(株)日立製作所 中央研究所
-
山部 紀久夫
筑波大学
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中島 清美
物質・材料研究機構
-
土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
-
永井 亮
(株)日立製作所中央研究所
-
諸岡 哲
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
網中 敏夫
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
-
蓮沼 隆
筑波大学 電子・物理工学専攻
-
伊野 昌義
沖電気工業超LSI研究開発センタ
-
岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
辻内 幹夫
(株)ルネサステクノロジ
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池田 龍彦
(株)ルネサステクノロジ
-
小松 大士
(株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
-
牧 幸生
(株)ルネサステクノロジ
-
堀内 勝忠
(株)日立製作所中央研究所
-
由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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酒井 芳男
日立製作所
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堀口 文男
東芝
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赤塚 泰生
日本電気
-
喜多川 儀久
日本Ti
-
中田 昌之
日立製作所中央研究所
-
平山 美鈴
日立製作所中央研究所
-
西田 高
日立製作所半導体事業部生産統括本部生産技術部
-
山岡 雅直
日立製作所中央研究所
-
山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
-
神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
-
西田 征男
株式会社ルネサステクノロジ:広島大学大学院先端物質科学研究科
-
尾田 秀一
株式会社ルネサステクノロジ
-
三瀬 信行
日立製作所
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小野 哲郎
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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伊野 昌義
沖電気工業
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喜多川 儀久
日本テキサスインスツルメンツasm設計課
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木須 輝明
日立超lsiシステムズ
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諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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青木 正和
日立製作所中央研究所
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土本 淳一
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
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土本 淳一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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松岡 秀行
日立製作所基礎研究所
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曽根田 光生
ソニー
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牧 幸生
ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
松岡 秀行
(株)日立製作所中央研究所
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大田 晃生
広島大学 大学院先端物質科学研究科
著作論文
- ボロンガスクラスターイオンビームドーピングによるPMOSFETのエクステンション形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- ファイル応用を指向した256MビットDRAMの回路技術
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- 高速/高信頼性130nm-node MRAM(新型不揮発性メモリ)
- 高速/高信頼性 130nm-node MRAM
- フルシリサイドゲートトランジスタ閾値のゲート長依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ハイブリッドトレンチ分離SOIデバイスにおけるボディ電位制御技術(半導体Si及び関連材料・評価)
- Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 21世紀に向けた半導体メモリの技術課題とロードマップ
- 高集積DRAM用CVD-Ta_2O_5キャパシタ技術
- しきい値電圧制御可能なゲートファースト メタルゲート/デュアル High-k CMOS