谷沢 元昭 | ルネサステクノロジ株式会社

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概要

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• ルネサステクノロジ株式会社の論文著者

関連著者

• 谷沢 元昭

  ルネサステクノロジ株式会社

• 谷沢 元昭

  (株)ルネサステクノロジ

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ

• 石川 清志

  株式会社ルネサステクノロジ

• 園田 賢一郎

  株式会社ルネサステクノロジ

• 永久 克巳

  (株)ルネサステクノロジ

• 永久 克己

  株式会社ルネサステクノロジ

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 岡垣 健

  (株)ルネサステクノロジ

• 西村 正

  三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター

• 西村 正

  三菱電機株式会社ulsi技術開発センター

• 西村 正

  三菱電機ULSI開発研究所

• 谷沢 元昭

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 石川 清志

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 石川 清志

  (株)ルネサステクノロジ

• 小谷 教彦

  広島国際大学社会環境科学部

• 西村 正

  三菱電機 Ulsi開セ

• 西村 正

  三菱電機株式会社 Lsi 研究所

• 石川 清志

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 内田 哲也

  (株)ルネサステクノロジ

• 谷沢 元昭

  三菱電機株式会社ULSI開発研究所

• 木寺 真琴

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 石川 清志

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 土屋 修

  株式会社ルネサステクノロジ

• 小谷 教彦

  広島国際大学 社会環境科学部

• 小谷 教彦

  広島国際大 社会環境科学

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部

• 林 岳

  (株)ルネサステクノロジ

• 土屋 修

  (株)ルネサステクノロジ

• 西村 正

  三菱電機(株)

• 和智 勇治

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ

• 高篠 裕行

  (株)ルネサステクノロジ

• 佃 栄次

  (株)ルネサステクノロジ

• 若原 祥史

  (株)ルネサステクノロジ

• 園田 賢一郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 井上 靖朗

  三菱電機(株)

• 園田 賢一郎

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 園田 賢一郎

  三菱電機(株)

• 永久 克己

  (株)ルネサステクノロジ

• 国清 辰也

  株式会社ルネサステクノロジ生産本部

• 小倉 卓

  (株)genusion

• 荒木 康弘

  株式会社ルネサステクノロジ

• 鎌倉 良成

  大阪大学工学部

• 谷口 研二

  大阪大学工学部

• 倉田 英明

  (株)日立製作所 中央研究所

• 鳴海 俊一

  ルネサステクノロジ

• 土屋 修

  ルネサステクノロジ

• 犬石 昌秀

  三菱電機(株)

• 犬石 昌秀

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 熊本 敏夫

  株式会社ルネサステクノロジ

• 栄森 貴尚

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ

• 熊本 敏夫

  ルネサステクノロジ

• 佃 栄次

  ルネサステクノロジ株式会社

• 高篠 裕行

  ルネサステクノロジ株式会社

• 岡垣 健

  ルネサステクノロジ株式会社

• 内田 哲也

  ルネサステクノロジ株式会社

• 林 岳

  ルネサステクノロジ株式会社

• 永久 克己

  ルネサステクノロジ株式会社

• 若原 祥史

  ルネサステクノロジ株式会社

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ株式会社

• 井上 靖朗

  ルネサステクノロジ株式会社

• 河野 浩之

  三菱電機(株)システムlsi事業統括部

• 大路 譲

  株式会社日立製作所半導体事業部

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科

• 永久 克巳

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 谷沢 元昭

  株式会社ルネサステクノロジ

• 清水 悟

  株式会社ルネサステクノロジ

• 河井 伸治

  株式会社ルネサステクノロジ

• 小倉 卓

  株式会社ルネサステクノロジ

• 小林 真一

  株式会社ルネサステクノロジ

• 井上 靖朗

  株式会社ルネサステクノロジ

• 熊本 敏夫

  三菱電機(株)システムLSI開発研究所

• 栄森 貴尚

  (株)ルネサステクノロジ

• 大路 譲

  (株)ルネサステクノロジ

• 五十嵐 元繁

  株式会社ルネサステクノロジ

• 熊本 敏夫

  三菱電機(株)システムlsi事業統括部

• 国清 辰也

  (株)ルネサステクノロジ

• 五十嵐 元繁

  (株)ルネサステクノロジ

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 鳴海 俊一

  (株)ルネサステクノロジ

• 谷口 研二

  大阪大

• 倉田 英明

  (株)日立製作所

• 小谷 教彦

  三菱電機株式会社ulsi開発

• Taniguchi K

  Osaka Univ. Osaka Jpn

• Taniguchi K

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University

• 園田 賢一郎

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• Taniguchi K

  Department Of Electronics And Information Systems Osaka University

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科

• 三好 寛和

  三菱電機(株) Ulsi開発研究所

• 永久 克己

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 塚本 康正

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 大林 茂樹

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 太田 和伸

  ソニー株式会社

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 岡垣 健

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 国清 辰也

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 太田 和伸

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 網城 啓之

  三菱電機(株)メモリー事業統括部

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター:大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 塚本 康正

  株式会社ルネサステクノロジ

• 大林 茂樹

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石橋 孝一郎

  (株)ルネサステクノロジ 製品技術本部設計基盤技術開発部

• 長田 健一

  (株)日立製作所中央研究所

• 石橋 孝一郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 宮崎 裕行

  (株)日立製作所 中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所 中央研究所

• 石橋 孝一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 小谷 教彦

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 石橋 孝一郎

  ルネサスエレクトロニクス

• 小谷 教彦

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 山岡 雅直

  日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所中央研究所

• Taniguchi K

  Division Of Electrical Electronics And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka

• 長田 健一

  株式会社日立製作所

• Taniguchi Kenji

  Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University

• 三好 寛和

  三菱電機(株)

• 長田 健一

  (株)日立製作所 中央研究所

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著作論文

• TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
• マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
• 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• CBCM法を用いたゲート絶縁膜の容量測定
• ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
• ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• デバイス/回路シミュレータの結合
• 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• MOSFETフリッカ雑音のばらつきのバイアス依存性
• MOSFETフリッカ雑音のばらつきのバイアス依存性
• 統計的ばらつき予測のための回路モデルパラメータ生成システムの構築
• 統計的ばらつき予測のための回路モデルパラメータ生成システムの構築
• TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
• TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
• TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
• マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
• マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
• マクロモデルを用いた回路シミュレーション高速化
• ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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