小倉 卓 | (株)genusion
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概要
関連著者
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小倉 卓
(株)genusion
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小倉 卓
Necエレクトロニクス株式会社
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辰巳 徹
日本電気株式会社
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渡辺 啓仁
日本電気株式会社
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西藤 哲史
日本電気株式会社
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辰巳 徹
日本電気(株)
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最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
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高橋 健介
日本電気株式会社
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最上 徹
Necシステムデバイス研究所
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五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
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山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
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清水 悟
株式会社ルネサステクノロジ
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最上 徹
日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所
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岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
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山本 豊二
日本電気(株)
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渡部 宏治
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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間部 謙三
日本電気株式会社
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小倉 卓
日本電気(株)
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斉藤 幸重
日本電気(株)
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上沢 謙一
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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斉藤 幸重
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
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山本 一郎
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
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荒木 康弘
株式会社ルネサステクノロジ
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松波 弘之
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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松波 弘之
京都大学工学部電気電子工学教室
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園田 賢一郎
株式会社ルネサステクノロジ
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谷沢 元昭
ルネサステクノロジ株式会社
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今井 清隆
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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小谷 教彦
広島国際大学 社会環境科学部
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川尻 良樹
(株)genusion
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三原 雅章
(株)GENUSION
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小林 和男
(株)GENUSION
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谷沢 元昭
株式会社ルネサステクノロジ
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河井 伸治
株式会社ルネサステクノロジ
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小倉 卓
株式会社ルネサステクノロジ
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小林 真一
株式会社ルネサステクノロジ
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石川 清志
株式会社ルネサステクノロジ
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井上 靖朗
株式会社ルネサステクノロジ
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山縣 保司
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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寺井 真之
早稲田大学
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寺井 真之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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藤枝 信次
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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渡部 宏治
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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辰巳 徹
日本電気株式会社 シリコンシステム研究所
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谷沢 元昭
(株)ルネサステクノロジ
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藤枝 信次
「応用物理」編集委員会
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松波 弘之
京大工
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松波 弘之
京都大学工学部
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冬木 隆
京都大学工学部電気工学第二科
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藤枝 信次
Ecシリコノシステム研究所
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藤枝 信次
日本電気(株)システムデバイス研究所
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藤枝 信次
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小谷 教彦
広島国際大学社会環境科学部
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小谷 教彦
広島国際大 社会環境科学
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君塚 直彦
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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安田 有里
NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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岩本 敏幸
NEC、システムデバイス研究所
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藤枝 信次
NEC、システムデバイス研究所
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小倉 卓
NEC、システムデバイス研究所
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辰巳 徹
NEC、システムデバイス研究所
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渡辺 啓仁
NEC、システムデバイス研究所
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今井 清隆
NEC、システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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忍田 真希子
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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白井 浩樹
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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山本 一郎
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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山本 一郎
Necエレクトロニクス 先端デバイス開発事業部
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石川 清志
ルネサステクノロジ
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増崎 幸治
日本電気株式会社
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寺島 浩一
日本電気
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寺島 浩一
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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小倉 卓
京都大学工学部
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Terai Masayuki
Department Of Applied Physics Waseda University
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山縣 保司
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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君塚 直彦
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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上沢 謙一
日本電気(株)
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松波 弘之
京都大学工学研究科
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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泰地 稔二
NECELプロセス技術事業部
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渡辺 啓仁
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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辰巳 徹
NEC シリコンシステム研究所
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風間 賢也
NECマイクロコンピュータ事業部
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清水 悟
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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木村 広嗣
三菱電機(株) メモリ事業統括部
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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川尻 良樹
(株)日立製作所中央研究所
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宿利 章二
(株)GENUSION
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味香 夏夫
(株)GENUSION
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中島 盛義
(株)GENUSION
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吉原 務
早稲田大学大学院情報生産システム研究科
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小倉 卓
三菱電機(株) メモリ事業統括部
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三原 雅章
三菱電機(株) メモリ事業統括部
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宮脇 好和
三菱電機(株) メモリ事業統括部
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早坂 隆
三菱電機(株) メモリ事業統括部
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小林 和男
三菱電機(株) メモリ事業統括部
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大前 正
三菱電機(株) メモリ事業統括部
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槙本 ひろみ
三菱電機(株) メモリ事業統括部
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和田 正志
(株)日立超LSIシステムズ
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園山 浩史
(株)日立超LSIシステムズ
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衛藤 潤
(株)日立製作所
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山本 豊二
NEC、シリコンシステム研究所
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武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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西藤 哲史
NECシステムデバイス研究所
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寺井 真之
NECシステムデバイス研究所
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高橋 健介
NECシステムデバイス研究所
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長谷 卓
NECシステムデバイス研究所
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小倉 卓
NECシステムデバイス研究所
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辰巳 徹
NECシステムデバイス研究所
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渡辺 啓仁
NECシステムデバイス研究所
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小倉 卓
NEC シリコンシステム研究所
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寺井 真之
NEC シリコンシステム研究所
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渡辺 啓仁
NEC シリコンシステム研究所
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渡部 平司
NEC シリコンシステム研究所
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五十嵐 信行
NEC シリコンシステム研究所
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宮村 真
NEC シリコンシステム研究所
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西藤 哲史
NEC シリコンシステム研究所
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森岡 あゆ香
NEC シリコンシステム研究所
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渡部 宏治
NEC シリコンシステム研究所
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斎藤 幸重
NEC シリコンシステム研究所
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矢部 裕子
NEC シリコンシステム研究所
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五十嵐 多恵子
NEC シリコンシステム研究所
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増崎 幸治
NEC シリコンシステム研究所
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望月 康則
NEC シリコンシステム研究所
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最上 徹
Nec シリコンシステム研
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味香 夏夫
三菱電機株式会社ULSI開発研究所
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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五十嵐 多恵子
日本電気(株)システムデバイス研究所
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森岡 あゆ香
日本電気(株)システムデバイス研究所
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忍田 真希子
日本電気(株)システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気(株)システムデバイス研究所
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渡辺 啓仁
日本電気(株)システムデバイス研究所
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五十嵐 信行
日本電気株式会社
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武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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岡 徹
日立製作所
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羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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望月 康則
Necシステムデバイス研究所
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渡部 平司
NECシステムデバイス研究所
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砂村 潤
Nec基礎・環境研究所:科学技術振興機構
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砂村 潤
日本電気株式会社
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佐甲 隆
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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小倉 卓
日本電気
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小倉 卓
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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上沢 兼一
日本電気(株)
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小池 貴夫
京都大学工学部
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藤森 敬和
京都大学工学部
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辰巳 徹
Nec シリコンシステム研
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吉原 務
早稲田大学大学院
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
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久米 一平
Necエレクトロニクス
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白井 浩樹
Necエレクトロニクス株式会社
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川尻 良樹
Genusion
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小池 貴夫
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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武田 晃一
ルネサスエレクトロニクス
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高橋 寿史
ルネサスエレクトロニクス
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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久米 一平
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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五十嵐 信行
日本電気
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渡部 宏治
日本電気
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忍田 真希子
日本電気
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森岡 あゆ香
NECグリーンイノベーション研究所
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古武 直也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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砂村 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
肱岡 健一郎
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
-
白井 浩樹
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
風間 賢也
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
桑原 愼一
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
渡會 雅敏
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
佐甲 隆
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
小倉 卓
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
泰地 稔二
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
笠間 佳子
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
坂本 美里
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
高橋 寿史
ルネサスエレクトロニクス生産本部
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス(株)
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
-
川原 潤
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
著作論文
- 1.8V動作4MビットフローティングゲートNOR型B4-Flashテストチップを用いた100MByte/sプログラムの考察(集積エレクトロニクス)
- ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Gate-Protected Poly-Diode型チャージポンプを用いた1.8V単一電源16Mbit-DINOR型BGOフラッシュメモリ
- 45nmノード低消費電力デバイス用Ni_xSi/HfSiONゲートスタック構造(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- Poly-Si/HfSiO/SiO_2ゲート構造を用いた低電力、高速HfSiOゲートCMOSFET(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 低消費電力65nm-node向け高性能・高信頼性Poly-Si/a-Si/HfSiON構造トランジスタ技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 混載メモリ応用へ向けた相制御Ni-FUSI/HfSiONゲートスタックのインテグレーション技術
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御
- SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- シリコン直接窒化+酸化法による2.5nmゲート絶縁膜形成とMOSFET特性
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- TEOSを原料としてリモートプラズマCVD法により作製したSiO_2膜の電流伝導機構
- リモートプラズマCVD法による高品質SiO_2膜の低温形成とSi-MOSFETへの応用
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス(配線・実装技術と関連材料技術)