武田 晃一 | NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
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武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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豊島 秀雄
NEC
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武田 晃一
NEC
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相本 代志治
Necエレクトロニクス株式会社
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相本 代志治
NEC
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野田 研二
NEC
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中澤 陽悦
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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野村 昌弘
Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所
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岡村 均
Nec
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山崎 亨
Nec 先端デバイス開発本部
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野村 昌弘
STARC
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高田 正日出
Nec
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野村 昌弘
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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野村 昌弘
半導体理工学研究センター(starc)
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中村 和之
NECシリコンシステム研究所
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中村 典嗣
NEC
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中村 和之
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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木下 靖
NEC
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今井 清隆
日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所
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萩原 靖彦
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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中沢 陽悦
Nec Corporation
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岩崎 隆弘
Nec情報システムズ
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中澤 陽悦
NEC
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吉田 宏
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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中村 聡
日本電気株式会社
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吉田 宏
Nec 先端デバイス開発本部
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清水 俊行
Nec
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岸本 光司
Nec
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木村 亨
Nec
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木村 亨
Nec マイクロエレクトロニクス研究所システムulsi研究部
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大窪 宏明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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内田 哲弥
NEC ULSIデバイス開発研究所
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井谷 俊郎
NEC ULSIデバイス開発研究所
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渡嘉敷 健
NEC ULSIデバイス開発研究所
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渡嘉敷 健
Nec
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渡嘉敷 健
Nec Ulsiデバイス開発研究所微細加工技術開発部
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井谷 俊郎
Selete
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井谷 俊郎
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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中村 和之
NEC Corporation
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大窪 宏明
Nec
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井谷 俊郎
Nec
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益岡 宗明
Nec
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野村 昌弘
Nec
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内田 哲弥
Nec
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伊藤 信哉
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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岩崎 隆弘
NEC情報システズ
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益岡 完明
NEC
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東郷 光洋
NECシリコンシステム研究所
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浜田 昌幸
NEC
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小栗 隆
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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浜田 昌幸
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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東郷 光洋
Nec
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高田 正日出
NECマイクロエレクトロニクス研究所システムULSI研究部
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谷川 高穂
NEC
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信澤 肇
NEC
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小栗 隆司
Nec マイクロエレクトロニクス研
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堀内 忠彦
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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松井 孝二郎
NEC
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中川 敦
NEC
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下川 健寿
NEC
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高橋 弘行
NEC
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豊島 秀雄
NECシリコンシステム研究所
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武田 晃一
NECシリコンシステム研究所
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野田 研二
NEC ULSIデバイス開発研究所
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清水 俊行
NEC 第2メモリ事業部
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岸本 光司
NEC ULSIデバイス開発研究所
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堀内 忠彦
NEC Corporation
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広田 義則
Nec R&dサポートセンター
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木下 靖
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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野村 昌弘
NECシステムデバイス研究所
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萩原 靖彦
NECシステムデバイス研究所
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高田 正日出
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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今井 清隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
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山崎 亨
NEC ULSIデバイス開発研究所
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廣田 義則
Nec R&dサポートセンター
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小畑 弘之
NECエレクトロニクス
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岡村 均
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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豊島 秀雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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武田 晃一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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中村 聡
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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今井 清隆
ULSIデバイス開発研究所
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木下 靖
ULSIデバイス開発研究所
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山崎 亨
ULSIデバイス開発研究所
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岩崎 隆弘
NEC 情報システムズ
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野村 昌弘
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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萩原 靖彦
NEC
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萩原 靖彦
日本電気株式会社
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西 直樹
NECシステムデバイス研究所
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野村 昌弘
日本電気株式会社
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中澤 陽悦
日本電気株式会社
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中澤 陽悦
Nec R&dサポートセンター
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池永 佳史
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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大澤 拓
NECシステムIPコア研究所
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大澤 拓
Necシステムデバイス研究所
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廣田 義則
NEC R&Dサポートセンター
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池田 秀寿
NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所
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池永 佳史
NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所
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岡村 均
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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武田 晃一
日本電気株式会社
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室谷 樹徳
Nec
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竹島 俊夫
NEC
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竹島 俊夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
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石川 勝之
NEC
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小栗 隆司
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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吉田 宏
ULSIデバイス開発研究所
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池田 秀寿
中央大学
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斉藤 寿男
ルネサスエレクトロニクス
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武田 晃一
ルネサスエレクトロニクス
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高橋 寿史
ルネサスエレクトロニクス
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス
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西 直樹
NECシステムIPコア研究所
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高橋 寿史
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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泰地 稔二
NECELプロセス技術事業部
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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豊島 秀雄
NEC Corporation
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広田 義則
NEC
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小倉 卓
(株)genusion
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風間 賢也
NECマイクロコンピュータ事業部
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山崎 亨
NEC
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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吉田 宗一郎
Necエレクトロニクス
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厚母 敬生
NEC光エレクトロニクス研究所
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武田 晃一
NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所
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鈴木 久満
NECULSIデバイス開発研究所
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鈴木 久満
NEC ULSIデバイス開発研究所
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
日本電気株式会社
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多胡 州星
日本電気株式会社
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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鈴木 久満
Nec 先端デバイス開発本部
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川原 潤
Necエレクトロニクス
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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厚母 敬生
Nec マイクロエレクトロニクス研究所
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池田 秀寿
NECシステムデバイス研究所
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石井 利生
NECエレクトロニクス
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内田 良一
NEC
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斉藤 寿男
NEC
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岡村 均
NEC システムASIC事業部
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豊島 秀雄
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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小栗 隆
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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中村 聡
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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吉田 宏
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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久原 茂
NEC
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羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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白井 浩樹
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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佐甲 隆
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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岡村 均
NEC日本電気株式会社
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武田 晃一
NEC日本電気株式会社
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中村 聡
NEC日本電気株式会社
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豊島 秀雄
NEC日本電気株式会社
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高田 正日出
NEC日本電気株式会社
-
今井 清隆
NEC日本電気株式会社
-
木下 靖
NEC日本電気株式会社
-
吉田 宏
NEC日本電気株式会社
-
山崎 亨
NEC日本電気株式会社
-
多胡 州星
NEC日本電気株式会社
-
小林 正治
NEC日本電気株式会社
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武田 晃一
NEC Corporation
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岡村 均
NEC Corporation
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中村 聡
NEC Corporation
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高田 正日出
NEC Corporation
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今井 清隆
NEC Corporation
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木下 靖
NEC Corporation
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山崎 亨
NEC Corporation
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
青山学院大学電気電子工学科
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久米 一平
Necエレクトロニクス
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野村 昌弘
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
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竹内 潔
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
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野村 昌弘
ルネサスエレクトロニクス
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朝山 忍
ルネサスエレクトロニクス
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相本 代志治
ルネサスエレクトロニクス
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小畑 弘之
ルネサスエレクトロニクス
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伊藤 信哉
ルネサスエレクトロニクス
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川原 潤
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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井上 尚也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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久米 一平
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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古武 直也
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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肱岡 健一郎
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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白井 浩樹
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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風間 賢也
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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桑原 愼一
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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渡會 雅敏
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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佐甲 隆
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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小倉 卓
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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泰地 稔二
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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笠間 佳子
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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坂本 美里
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス(株)
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
-
川原 潤
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
著作論文
- 16Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発
- 無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発(2) : ビット線間カップリング容量の削減
- 無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発(1) : セル動作及びデータ安定保持回路
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
- 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (II) : I/O部の設計と評価結果
- 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (I) : チップアーキテクチャと内部SRAM部の設計
- ダイナミック協働型ドライブ技術を用いた双方向バスリピータの自動方向制御方式(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- ダイナミック協働型ドライブ技術を用いた双方向バスリピータの自動方向制御方式(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
- 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
- C-12-13 先端CMOSプロセス向けSRAM開発におけるSRAMセル諸特性の効率的ばらつき評価手法(C-12.集積回路,一般セッション)
- チャージポンプ付きHigh-Beta BiCMOS(Hβ-BiCMOS)論理ゲート回路
- 次世代SRAMのために再定義した書き込みマージン(新メモリ技術とシステムLSI)
- 動作時および待機時における電源電圧およびしきい電圧の制御による消費電力最小化のためのモニタリング方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 動作時および待機時における電源電圧およびしきい電圧の制御による消費電力最小化のためのモニタリング方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 低電圧時の安定高速動作を実現するノイズマージンフリーSRAM技術(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集1 SRAM)
- サブ100nm世代におけるGHz動作SRAMマクロのためのセンス方式(新メモリ,メモリ応用技術,一般)
- PMOSアクセスメモリセルを使用した超高速低電力NTL-CMOS SRAMマクロ
- 超高速低電力NTL-CMOS SRAMマクロ
- 64Mb高速DRAMマクロの開発
- C-12-75 高速64Mb DRAMマクロの開発(3) : アレイ部の高速化技術
- C-12-74 高速64Mb DRAMマクロの開発(2) : 制御回路部の高速化
- C-12-73 高速64MbDRAMマクロの開発(1) : チップ構成及び性能ついて
- 「パズルコンセプト」 : CM0Sに比較して消費電力、集積度、コスト共に優れたLSIを提供するBiCMOS LSIのデザインコンセプト
- 低電圧BiCMOS用チャージポンプ回路
- 4Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロのBIST方式(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
- 4Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロのBIST方式(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
- プロセスの微細化に伴うデバイスばらつきの回路動作への影響
- 6ns 1.5V 4Mb BiCMOS SRAMの低電圧回路技術
- 400MHz 64ビットBiCMOS ALU
- SRAM用ビット線振幅最適化回路(ASC回路)
- P-channelアクセストランジスタSRAMセル(II)
- 高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス(配線・実装技術と関連材料技術)