林 喜宏 | NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

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概要

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関連著者

• 林 喜宏

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  NECシリコンシステム研究所

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社

• 林 喜宏

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 林 喜宏

  NECシステムデバイス研究所

• 田上 政由

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所

• 井上 尚也

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 山本 博規

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 川原 潤

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 肱岡 健一郎

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 小野寺 貴弘

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 古武 直也

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 林 喜宏

  NEC シリコンシステム研究所

• 有田 幸司

  Necエレクトロニクス

• 野村 昌弘

  STARC

• 川原 潤

  Necエレクトロニクス

• 田上 政由

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 肱岡 健一郎

  Necエレクトロニクス

• 肱岡 健一郎

  青山学院大学電気電子工学科

• 野村 昌弘

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 野村 昌弘

  半導体理工学研究センター(starc)

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 川原 潤

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 井上 尚也

  大阪府立大学工学部情報工学科

• 植木 誠

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 伊藤 文則

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 久米 一平

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 植木 誠

  東北大学:(現)新日本製鐵(株)

• 田辺 昭

  Necエレクトロニクス(株)

• 武田 晃一

  NECシステムデバイス研究所

• 池田 秀寿

  NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所

• 武田 晃一

  NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所

• 中沢 絵美子

  NECエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 南雲 俊治

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 武田 晃一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 長瀬 寛和

  NECエレクトロニクス

• 武田 晃一

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 田辺 昭

  Necエレクトロニクス

• 野村 昌弘

  Nec

• 古武 直也

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 久米 一平

  Necエレクトロニクス

• 池田 秀寿

  中央大学

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 林 喜宏

  ルネサスエレクトロニクス

• 井上 尚也

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 久米 一平

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 伊藤 信哉

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 竹内 常雄

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 齋藤 忍

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 岡田 紀雄

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発部

• 多田 宗弘

  NECシステムデバイス研究所

• 斉藤 忍

  NECシステムデバイス研究所

• 廣井 政幸

  NECエレクトロニクス株式会社

• 田村 貴央

  NECELプロセス技術事業部

• 藤井 清

  NECELプロセス技術事業部

• 池田 昌弘

  Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 横川 慎二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 藤井 邦宏

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部(現)NECセミコンダクターズUK

• 中澤 陽悦

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 中沢 陽悦

  Nec Corporation

• 相本 代志治

  Necエレクトロニクス株式会社

• 斎藤 忍

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 本山 幸一

  NECエレクトロニクス(株)

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 多田 宗弘

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 田村 貴央

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 林 喜宏

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部

• 本山 幸一

  Necエレクトロニクス

• 深井 利憲

  NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部

• 田上 政由

  NEC Electronics Corporation

• 横川 慎二

  NECエレクトロニクス

• 長谷 卓

  日本電気システムデバイス研究所

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 池永 佳史

  NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所

• 池田 昌弘

  Necエレクトロニクス

• 北尾 良平

  NECエレクトロニクス

• 小畑 弘之

  NECエレクトロニクス

• 藤井 邦宏

  Necエレクトロニクス株式会社プロセス技術部

• 高橋 宗司

  NECシリコンシステム研究所

• 深井 利憲

  Necエレクトロニクス

• 岡田 紀雄

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 藤井 清

  NECエレクトロニクス

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 横川 慎二

  電気通信大学

• HAYASHI Yoshihiro

  Device Platforms Research Labs., NEC.

• 古谷 晃

  NEC

• 南雲 俊治

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 斉藤 寿男

  ルネサスエレクトロニクス

• 野村 昌弘

  ルネサスエレクトロニクス

• 武田 晃一

  ルネサスエレクトロニクス

• 朝山 忍

  ルネサスエレクトロニクス

• 相本 代志治

  ルネサスエレクトロニクス

• 小畑 弘之

  ルネサスエレクトロニクス

• 伊藤 信哉

  ルネサスエレクトロニクス

• 高橋 寿史

  ルネサスエレクトロニクス

• 高橋 宗司

  Nec

• 長谷 卓

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• Hayashi Yoshihiro

  Nec Corporation

• Hayashi Yoshihiro

  LSI Fundamental Research Laboratory, NEC Electronics Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• 高橋 寿史

  ルネサスエレクトロニクス生産本部

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices and Fundamental Research, NEC Corporation, 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  Microelectronics Research Laboratories, NEC, 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229, Japan

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著作論文

• グリーンIT対応のフル多孔質low-k配線技術 : 無欠陥化に向けた材料・プロセス・配線構造の統合設計(配線・実装技術と関連材料技術)
• 3次元ソレノイド型インダクタを用いた低電力・超小型LC-VCO
• C-12-36 微細CMOS大容量SRAMの高速化のための差動構成オフセットキャンセル型センスアンプ(DOCSA)(C-12.集積回路,一般セッション)
• 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線(配線・実装技術と関連材料技術)
• ランダムテレグラフノイズの包括的理解に向けた新解析手法の提案とその応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• DVFSのための電圧ステップ幅制御およびリファレンス電圧制御を用いた高速電源電圧制御方式(学生・若手研究会)
• C-12-13 先端CMOSプロセス向けSRAM開発におけるSRAMセル諸特性の効率的ばらつき評価手法(C-12.集積回路,一般セッション)
• Low-k/Cu デュアルダマシンコンタクトによる40nm MOSFET高周波性能向上
• EB直描を用いた先端デバイスの試作
• 低誘電率有機膜に銅を埋め込んだ高性能配線プロセスの開発
• パワースイングスパッタ法を用いたMOCVD-Cu配線用TaN膜の評価
• 安定な多孔質Low-k膜をいかに低コストで実現するか?
• 耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線
• 高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• RTNトラップ位置・エネルギー・振幅・時定数の統計分布評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

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