竹内 潔 | NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

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概要

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• 同名の論文著者
• NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所の論文著者

関連著者

• 竹内 潔

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所

• 竹内 潔

  MIRAI-Selete

• Hiramoto Toshiro

  The Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:vlsi Design And Education Center The Uni

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  Vlsi Design And Education Center The University Of Tokyo

• 西田 彰男

  (株)半導体先端技術テクノロジーズ

• 西田 彰男

  MIRAI-Selete

• 平本 俊郎

  東京大学生産技術研究所:mirai-selete

• 最上 徹

  Necシリコンシステム研究所

• Hiramoto Toshirou

  Device Development Center Hitachi Ltd.

• 蒲原 史朗

  MIRAI-Selete

• 最上 徹

  日本電気(株) マイクロエレクトロニクス研究所

• 平本 俊郎

  東大

• Hiramoto Toshiro

  Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo

• Hiramoto Toshiro

  The Authors Are With Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo:the Author Is With Vlsi

• Hiramoto T

  Univ. Tokyo

• 竹内 潔

  ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 稲葉 聡

  MIRAI-Selete

• 最上 徹

  MIRAI-Selete

• 角村 貴昭

  (株)半導体先端技術テクノロジーズ

• 角村 貴昭

  MIRAI-Selete

• 寺田 和夫

  広島市大学院情報科学研究科

• 水谷 朋子

  東京大学生産技術研究所

• KUMAR Anil

  東京大学生産技術研究所

• 寺田 和夫

  広島市立大学

• 山本 豊二

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 羽根 正己

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• プトラ アリフィン・タムシル

  東京大学

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 若林 整

  NEC

• 若林 整

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 若林 整

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研究所

• 黄 俐昭

  Necシリコンシステム研究所

• 若林 整

  ソニー(株)

• 羽根 正巳

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 羽根 正巳

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 羽根 正巳

  日本電気株式会社システムデバイス研究所

• 黄 俐昭

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• Koh R

  Silicon Systems Research Labs.

• Koh Risho

  Silicon Systems Research Laboratories Nec Corporation

• Koh Risho

  Microelectronics Reserch Laboratory Nec Corp.

• Koh Risho

  Microelectronics Research Laboratories Nec Corporation

• Koh Risho

  Microelectronics Research Labs. Nec Corp.

• Koh Risho

  Silicon Systems Research Laboratory Nec Corporation

• Koh Risho

  Microelectronics Res. Labs. Nec Corp.

• 羽根 正巳

  ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部

• 更屋 拓哉

  東京大学生産技術研究所

• 竹内 潔

  NECシリコンシステム研究所

• 武村 久

  NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 鈴木 誠

  東京大学生産技術研究所

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• Putra Arifin

  東京大学生産技術研究所

• 竹内 潔

  日本電気

• 深井 利憲

  MIRAI-Selete

• 寺田 和夫

  広島市立大学大学院情報科学研究科

• 平本 俊郎

  MIRAI-Selete

• 川澄 篤

  株式会社東芝

• 川澄 篤

  東芝セミコンダクター社

• 江崎 達也

  広島大学

• 羽根 正巳

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 池澤 健夫

  NEC情報システムズ

• 五十嵐 信行

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 清水 健

  天理よろず相談所病院小児科

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社

• 川浦 久雄

  日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター

• 阪本 利司

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 阪本 利司

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 清水 健

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 三本杉 安弘

  (株)富士通研究所

• 野田 研二

  NSCore

• 三本杉 安弘

  富士通研究所

• 竹内 潔

  日本電気システムデバイス研究所

• 竹内 潔

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 黄 俐昭

  NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 竹内 潔

  NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  NECシステムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 最上 徹

  Nec シリコンシステム研

• 最上 徹

  Necシステムデバイス研究所

• 南雲 俊治

  NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所

• 清水 健

  東京大学生産技術研究所

• 清水 健

  埼玉社会保険病院病理

• 若林 整

  NECシリコンシステム研究所

• 阪本 利司

  Nec 基礎・環境研

• 阪本 利司

  日本電気(株)基礎・環境研究所

• 山岡 雅直

  日立製作所中央研究所

• 山岡 雅直

  (株)日立製作所中央研究所

• 池澤 健夫

  株式会社NEC情報システムズ

• 清水 健

  北海道大学大学院工学研究科

• 清水 健

  千葉大学大学院医学研究院病原分子制御学

• 川澄 篤

  東芝セミコンダクター&ストレージ社半導体研究開発センター先端ワイヤレス・アナログ技術開発部

• 山岡 雅直

  日立製作所 中央研究所

• 林 喜宏

  NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所

• 林 喜宏

  NECシステムデバイス研究所

• 横川 慎二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 松木 武雄

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• 江崎 達也

  NEC

• 阪本 利司

  NEC

• 川浦 久雄

  NEC

• 五十嵐 信行

  NEC

• 竹内 潔

  NEC

• 山本 豊二

  NEC

• 江崎 達也

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 阪本 利司

  NEC(株)基礎・環境研究所

• 川浦 久雄

  NEC(株)基礎・環境研究所

• 山上 滋春

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 竹内 潔

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 國尾 武光

  Necマイクロエレクトロニクス研究所

• 田辺 昭

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 竹内 潔

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 山本 豊二

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 松木 武雄

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 國尾 武光

  日本電気マイクロエレクトロニクス研究所

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 田辺 昭

  通信・放送機構 仙台リサーチセンター

• 武田 晃一

  NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 林 喜宏

  日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所 超高集積回路研究部

• 平本 俊郎

  東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター

• 田中 克彦

  MIRAI-Selete

• 黄 俐昭

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 武村 久

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所

• 河田 道人

  株式会社nec情報システムズ

• 竹田 裕

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 横川 慎二

  NECエレクトロニクス

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス Lsi基礎開研

• 宮村 信

  東京大学工学系研究科電子工学専攻

• 宮村 信

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 田中 克彦

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 竹内 潔

  日本電気(株)システムデバイス研究所

• 深井 利憲

  Necエレクトロニクス

• 羽根 正巳

  Nec シリコンシステム研

• 横川 慎二

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部

• 横川 慎二

  電気通信大学

• HAYASHI Yoshihiro

  Device Platforms Research Labs., NEC.

• Arifin Tamsir

  東京大学生産技術研究所

• 宋 驍嵬

  東京大学生産技術研究所

• Hayashi Yoshihiro

  Nec Corporation

• Hayashi Yoshihiro

  LSI Fundamental Research Laboratory, NEC Electronics Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices Research Laboratories, NEC, 1120 Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  System Devices and Fundamental Research, NEC Corporation, 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229-1198, Japan

• Hayashi Yoshihiro

  Microelectronics Research Laboratories, NEC, 1120, Shimokuzawa, Sagamihara, Kanagawa 229, Japan

• 平本 俊郎

  東京大学

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著作論文

• 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 新規格化法を用いた工場/製品/水準間比較によるシリコンMOSFETのランダムしきい値ばらつき評価
• 新規格化法を用いたファブ/テクノロジ/水準間比較によるランダムしきい値ばらつき評価(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 微細MOSデバイスにおけるランダムばらつき(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 1.MOSトランジスタのスケーリングに伴う特性ばらつき(CMOSデバイスの微細化に伴う特性ばらつきの増大とその対策)
• 増大する微細MOSトランジスタの特性ばらつき : 現状と対策
• Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
• Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 0.15μm CMOSトランジスタの特性
• SRAM : 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• SRAM: 低電圧化とばらつきへの挑戦(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• C-11-2 垂直電界に関するバルクMOSFETとSOI-MOSFETの比較
• 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響
• 素子微細化が真性半導体ボディSOI-MOSFETのI_向上効果に与える影響
• 真性チャネルSOI-MOSFETのV_ばらつきに対する電界の二次元効果の影響
• 微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• ランダムテレグラフノイズの包括的理解に向けた新解析手法の提案とその応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 飽和V_ばらつきの解析とそのSRAMへの影響評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• DMA TEGによるSRAMのスタティックノイズマージンの直接測定と解析(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• SoC性能評価関数を用いた最適マルチ・トランジスタ・パラメータ設計の決定手法
• フルバンド・デバイスシミュレーションによる歪みSiGe/Si-pMOSFETのキャリア輸送特性解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• GIDLを考慮したLSTP向けFinFETの設計(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• MOSFETの特性に及ぼす速度飽和領域の影響
• C-11-1 微細MOSトランジスタの特性ばらつきの研究(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
• 微細MOSFETの特性ばらつきに関する最近の動向について
• DMA SRAM TEGにより解析したSRAMのスタティックノイズマージンにおけるDIBLばらつきの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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