Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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Sub-10-nm平面バルク型MOSFETに関して、ソース・ドレイン間直接トンネル電流を議論した。低温測定より、直接トンネル電流は、ゲート電極長変調やゲート電圧変調だけではなく、ドレイン起因トンネル電流変調(drain-induced tunneling modulation : DITM)効果に依存することを示した。また量子力学効果を考慮した計算から、温度上昇によっても直接トンネル電流は増加し、さらに300KでもDITM効果が顕著であることを示した。従って、Sub-10-nm CMOSの室温動作においてトンネル電流を抑制するには、短チャネル効果抑制の方法と同様に、低電圧化が効果的であることを明らかにした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-14
著者
-
江崎 達也
広島大学
-
羽根 正巳
NEC(株)システムデバイス研究所
-
池澤 健夫
NEC情報システムズ
-
山本 豊二
MIRAI-ASET
-
若林 整
NEC
-
若林 整
NEC(株)システムデバイス研究所
-
江崎 達也
NEC(株)システムデバイス研究所
-
阪本 利司
NEC(株)基礎・環境研究所
-
川浦 久雄
NEC(株)基礎・環境研究所
-
山上 滋春
NEC(株)システムデバイス研究所
-
五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
-
竹内 潔
NEC(株)システムデバイス研究所
-
山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
-
山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
-
若林 整
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
-
川浦 久雄
日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター
-
阪本 利司
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
阪本 利司
Necデバイスプラットフォーム研究所
-
若林 整
ソニー(株)
-
竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
-
羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
阪本 利司
Nec 基礎・環境研
-
阪本 利司
日本電気(株)基礎・環境研究所
-
池澤 健夫
株式会社NEC情報システムズ
-
竹内 潔
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
-
羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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