若林 整 | NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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概要
関連著者
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若林 整
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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若林 整
NEC(株)システムデバイス研究所
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若林 整
NEC
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若林 整
ソニー(株)
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山品 正勝
Necラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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山品 正勝
Necシリコンシステム研究所 システムulsi研究部
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最上 徹
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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伊藤 浩
日本電気株式会社
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古田 浩一朗
NEC
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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山本 豊二
NEC(株)システムデバイス研究所
-
山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
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井倉 裕之
日本電気株式会社
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若林 整
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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中島 謙
NEC ULSIデバイス開発研究所
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泉川 正則
NEC
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中島 謙
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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山本 亮
ソニー(株)
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水野 正之
NECデバイスプラットフォーム研究所
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斎藤 正樹
ソニー(株)
-
門村 新吾
ソニー
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山品 正勝
Necマイクロエレクトロニクス研究所 システムulsi研究部
-
住 能和
NEC情報システムズ
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安生 健一朗
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
-
山本 雄一
ソニー(株)
-
長島 直樹
ソニー株式会社
-
王 俊利
ソニー(株)
-
舘下 八州志
ソニー(株)
-
平野 智之
ソニー(株)
-
山口 晋平
ソニー(株)
-
宮波 勇樹
ソニー(株)
-
田井 香織
ソニー(株)
-
釘宮 克尚
ソニー(株)
-
長濱 嘉彦
ソニー(株)
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萩本 賢哉
ソニー(株)
-
神田 さおり
ソニー(株)
-
長野 香
ソニー(株)
-
田川 幸雄
ソニー(株)
-
塚本 雅則
ソニー(株)
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岩元 勇人
ソニー(株)
-
門村 新吾
ソニー(株)
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長島 直樹
ソニー(株)
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泉川 正則
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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井倉 裕之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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萩本 賢哉
ソニー株式会社
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岩元 勇人
ソニー株式会社
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館下 八州志
ソニー(株)
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舘下 八州志
ソニー(株) 半導体事業グループテクノロジー開発本部
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竹内 潔
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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門村 新吾
ソニー(株)セミコンダクタカンパニー 超lsi研究所
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若林 整
NECシリコンシステム研究所
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竹内 潔
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
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堀内 忠彦
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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山品 正勝
NEC Corporation
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羽根 正巳
NEC(株)システムデバイス研究所
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池澤 健夫
NEC情報システムズ
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五十嵐 信行
NEC(株)システムデバイス研究所
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水野 正之
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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深石 宗生
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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最上 徹
Nec シリコンシステム研究所
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最上 徹
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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伊藤 浩
NEC ULSIデバイス開発研究所
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堀内 忠彦
NEC ULSIデバイス開発研究所
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深石 宗生
Nec
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深石 宗生
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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羽根 正巳
NECエレクトロニクス株式会社LSI基礎開発研究所
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羽根 正己
日本電気(株)システムデバイス研究所
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羽根 正巳
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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羽根 正巳
日本電気株式会社システムデバイス研究所
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池澤 健夫
株式会社NEC情報システムズ
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羽根 正巳
ルネサスエレクトロニクス先行研究統括部
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山品 正勝
NECラボラトリーズ システムデバイス・基礎研究本部 シリコンシステム研究所
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古田 浩一朗
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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杉井 寿博
(株)富士通研究所
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江崎 達也
広島大学
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若林 整
NEC Corporation
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最上 徹
NEC Corporation
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堀内 忠彦
NEC Corporation
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藤田 繁
ソニー株式会社
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川浦 久雄
日本電気(株)ビジネスイノベーションセンター
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阪本 利司
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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阪本 利司
Necデバイスプラットフォーム研究所
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黛 哲
ソニー(株)
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山川 真弥
ソニー(株)
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中田 征志
ソニー(株)
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押山 到
ソニー(株)
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田中 和樹
ソニー(株)
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小川 浩二
ソニー(株)
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生田 哲也
ソニー(株)
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片岡 豊隆
ソニー(株)
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菊池 善明
ソニー(株)
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安藤 崇志
ソニー(株)
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松本 良輔
ソニー(株)
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藤田 繁
ソニー(株)
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山根 千種
ソニー(株)
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木村 忠之
ソニー(株)
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大地 朋和
ソニー(株)
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齋藤 正樹
ソニー(株)
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古田 浩一郎
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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最上 徹
NEC ULSIデバイス開発研究所
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最上 徹
Necシリコンシステム研究所
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竹内 潔
NECシリコンシステム研究所
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黒田 忠広
慶応大学
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最上 徹
Necシステムデバイス研究所
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阪本 利司
Nec 基礎・環境研
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阪本 利司
日本電気(株)基礎・環境研究所
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小林 胤雄
東芝セミコンダクター社
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杉井 寿博
富士通
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高柳 万里子
東芝セミコンダクター社
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松木 武雄
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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野瀬 浩一
Nec
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水野 正之
NEC Corporation
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江崎 達也
NEC
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阪本 利司
NEC
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川浦 久雄
NEC
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五十嵐 信行
NEC
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竹内 潔
NEC
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山本 豊二
NEC
-
江崎 達也
NEC(株)システムデバイス研究所
-
阪本 利司
NEC(株)基礎・環境研究所
-
川浦 久雄
NEC(株)基礎・環境研究所
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山上 滋春
NEC(株)システムデバイス研究所
-
竹内 潔
NEC(株)システムデバイス研究所
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安生 健一朗
NEC Corporation
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古田 浩一朗
NEC Corporation
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國尾 武光
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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斎藤 幸重
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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泉川 正則
NEC Corporation
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井倉 裕之
NEC Corporation
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伊藤 浩
NEC Corporation
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中島 謙
NEC Corporation
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伊藤 浩
NECマイクロエレクトロニクス研究所システムULSI研究所
-
堀内 忠彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所システムULSI研究所
-
斎藤 幸重
NEC シリコンシステム研究所
-
池澤 延幸
Necエレクトロニクス(株)
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羽根 正巳
Nec シリコンシステム研
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忍田 真希子
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
川本 英明
Necエレクトロニクス(株)
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辰巳 徹
NEC(株)システムデバイス研究所
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忍田 真希子
NEC(株)システムデバイス研究所
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辰巳 徹
日本電気株式会社
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野瀬 浩二
Nec
著作論文
- hp32/22nmノードに向けたFEOLの技術動向 (特集 半導体プロセスを支える製造・試験装置と材料)
- Sub-10-nm平面型 Bulk CMOS におけるS/D直接トンネル電流特性
- Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ED2000-114 / SDM2000-96 / ICD2000-50 伝送線路を用いたオンチップGHzクロック分配手法
- 伝送線路を用いたオンチップGHzクロック分配手法
- TiSi_2 膜形成における Si表面アモルファス化の効果とSEDAM法
- ダマシンゲートプロセスを用いた Top-Cut デュアルストレスライナーを有する高性能 Metal/High-k Gate MOSFETs
- ダマシンゲートプロセスを用いたtop-cutデュアルストレスライナーを有する高性能Metal/High-k Gate MOSFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- [100]及び[110]基板上の埋め込みSiGe膜による歪みSiチャンネルを有する Metal/High-k ゲート電極MOSFETs
- (100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 100MHz, 0.55mm^2, 2mW, 16-bスタック型積和演算器
- 0.25μm CMOS 0.9V 100MHz DSPコア
- DSPの低電力省面積技術
- ループフィルタをディジタル化した省面積PLL回路
- ED2000-114 / SDM2000-96 / ICD2000-50 伝送線路を用いたオンチップGHzクロック分配手法
- ED2000-114 / SDM2000-96 / ICD2000-50 伝送線路を用いたオンチップGHzクロック分配手法
- 100MHz, 0.55mm^2, 2mW, 16-bスタック型積和演算器
- [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- [特別招待論文]Sub-50-nm CMOSデバイス技術(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- High-k絶縁膜の技術トレンド (マテリアルフォーカス:エレナノ 「High-K絶縁膜」を改質するマテリアル開発の技術トレンド)
- Sub-50-nm CMOS技術と電源電圧最適化
- マサチューセッツ工科大学滞在記
- [パネルディスカッション]デバイス・回路技術者協議 : ゲートリーク問題は誰が解くか?(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- [パネルディスカッション]デバイス・回路技術者協議 : ゲートリーク問題は誰が解くか?(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))